Частота памяти spd: Типы и характеристики оперативной памяти. Что такое SPD (Serial Presence Detect)? Что такое spd в компьютере

Содержание

Памяти spd что значит. Оперативная память подробно. Правильная установка памяти после выбора и покупки

Всем добрпого времени суток. Сегодня поговорим о том, как выбрать оперативную память.

Эта очередная заметка обязана своим появлением нашим многоуважаемым читателям, ибо именно от них (т.е. Вас) поступил звоночек, что хочется видеть всего и побольше из разряда «тяжелой артиллерии», то бишь . Ну а так как мы, проект, умеющий не только писать, но и местами читать (в частности, Ваши комментарии:-)), то собственно, вот Вам еще одна железная статья про «мозги» вашего ПК, а именно, — оперативную память.

Как я уже говорил, изначально это была цельная статья, которую поделили на две. Первую часть, которая рассказывает о оперативной памяти вообще (т.е принципы работы, зачем она нужна и все такое прочее) Вы можете найти .

Во вступлении также хочется сказать, что сие творение займет свое почетное место в нашем «железном пантеоне» статей. Кто забыл (или вообще первый раз слышит, т.

е. привет новеньким;-)) о чем там шла речь, напоминаю, — материалы рассказывают о том, на что нужно обращать внимание при покупке отдельных «запчастей» для Вашего компьютера. Вот некоторые из этих произведений искусства: “Intel или AMD. Проблематика выбора “, “Как правильно выбрать вентилятор (кулер) для процессора “, “ “ и всего такого разного из тега “Критерии выбора“.

Не смею Вас больше задерживать, начинаем..

Базовая вводная по характеристикам и не только

Как правильно выбрать оперативную память, чтоб производительность ПК повысилась и он шустро обрабатывал те приложения/игры, о которых раньше и помыслить не мог? Думаю, этим вопросом задается громадное число пользователей нашей (и не только) необъятной страны.

И правильно делают, что задаются, ибо только на первый взгляд можно сказать, что тут все просто и понятно, однако есть куча тонкостей, о которых мы Вам сейчас и расскажем.

Итак, первое, что надо держать в голове (перед покупкой) — выбор «правильной» памяти является залогом успеха дальнейшего разгона Вашего железного друга и в какой-то степени позволяет избежать ненужных материальных вливаний на вновь вышедшую железяку.

Т.е. память (например, «оверклокерская»), позволяет поддерживать пользовательский ПК в «бодром» расположении духа на протяжении довольно продолжительного времени, за счет заложенного производителем разгонного потенциала.

Мы не зря говорили выше о том, что оперативную память и кэш использует, для обработки данных, процессор (а через материнскую плату он потребляет ресурсы оперативной памяти). Не зря потому, что выбрать отдельно оперативку от того же процессора или материнской платы, никак не получится (ибо они взаимосвязаны).

Описывая характеристики материнской платы, мы ссылаемся на процессор, рассматривая оперативную память, мы также принимаем во внимание характеристики вышеназванных элементов, т.к. они являются основной «думающей» частью компьютера. Оперативная взаимосвязь этих компонентов позволяют Вашему железному помощнику быстрее осуществлять необходимые операции.

Поэтому к выбору памяти надо подходить исходя из этих соображений взаимосвязи, а то получится, что Вы приобрели «крутую» память, а материнка её не поддерживает и тогда лежать ей родимой и ждать своего «звездного часа»:).

Чтобы узнать, какой процессор поддерживает Ваша материнская плата, а также какой модуль памяти необходим для неё, нужно:

  • обратиться к сайту производителя платы
  • найти, по буквенно-цифровой маркировке, свою модель (например, производитель Gigabyte GA-P55A-UD4P)
  • изучить руководство по поддерживаемым процессорам и список рекомендованных модулей памяти (т.е. тех производителей и моделей, которые 100 % совместимы с Вашей платой).

Чтобы снять все вопросы, приведу конкретный пример (не надо, не благодарите меня:-)).

Заходим на сайт производителя (1 ) и ищем модель материнки по маркировке, для простоты вбиваем данные в поиск (2 ).

Примечание
Маркировку (модель/производителя материнки), например можно найти через cредство диагностики DirectХ (вызывается комбинацией клавиш командной строки «Win+R » и вводом dxdiag , далее запоминаем строки — производитель и модель ПК).

Нажимаем на ссылки «Поддерживаемые процессоры» (1 ) и «Список рекомендованных модулей памяти» (2 ).

Для памяти загружаем этот список (в формате pdf ), нажав на соответствующую ссылку.

Определяемся с типом процессора (1 ) (допустим Core i5-760 ) и моделью памяти (2 ) (допустим Kingston KHX1600C9D3K2/4G).

Вот и всё, ничего сложного!

Теперь нам известно, что наша материнская плата и процессор не будут конфликтовать с этой памятью и при из совокупности этих трех компонентов можно выжать заветные 10-15 % прироста общей производительности компьютера и избежать, скажем, страшных и ужасных .

Теперь непосредственно перейдем к самим техническим параметрам.

Тип памяти

Прежде всего, необходимо определиться с типом памяти. На момент написания этой статьи на рынке доминируют модули памяти DDR (double-data-rate ) третьего поколения или DDR3 . Память типа DDR3 имеет более высокие тактовые частоты (до 2400 мегагерц), пониженное примерно на 30-40 % (по сравнению с DDR2 ) энергопотребление и соответственно меньшее тепловыделение.

Однако, до сих пор, можно встретить память стандарта DDR2 и морально устаревшую (а потому местами жутко дорогую) DDR1 . Все эти три типа полностью несовместимы друг с другом как по электрическим параметрам (у DDR3 меньше напряжение), так и физическим (смотрите изображение).

Это сделано для того, чтобы даже если Вы ошиблись с выбором — Вы не смогли бы вставить несовместимую планку памяти (хотя некоторые очень старательны, а посему случается.. ээ.. бум! :)).

Примечание
Стоит упомянуть про новый тип памяти DDR4 , отличающийся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками и низким напряжением. Он поддерживает частоты от 2133 до 4266 МГц и в массовое производство поступит предположительно в середине 2012 года. Кроме того, не стоит путать оперативную память (упомянутый DDR ) с видеопамятью (а именно GDDR ). Последняя (вида GDDR 5 ) обладает высокими частотами, достигающими 5 Ггц, но используются пока только в видеокартах.

Форм-фактор

При выборе всегда обращайте внимание на form factor — стандарт, задающий габаритные размеры устройства или по-простому — тип конструкции самой планки.

DIMM (Dual Inline Memory Module , означает, что контакты располагаются по обе стороны) — для настольных ПК, а SO-DIMM — для ноутбуков (в последнее время ноутбучная память может встречаться в моноблоках или компактных мультимедийных ПК).

Как Вы можете видеть на картинке выше, они имеют разные размеры, так что промахнуться сложно.

Частота шины и пропускная способность

Основные параметры оперативки, которые характеризуют её производительность — это частота шины и скорость передачи данных.

Частота характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени, соответственно, чем она больше, тем больше данных можно передать. Частота шины и пропускная способность зависят прямо пропорционально друг от друга (например, память имеет 1333 Мгц шину, значит теоретически будет иметь пропускную способность 10600 Мб/сек, а на самом модуле будет написано DDR3 1333 (PC-10600 )).

Частота обозначается в виде «DDR2 (3 )-xxxx» или «PC2 (3 )-yyyy». В первом случае «xxxx» обозначает эффективную частоту памяти, а во втором «yyyy» указывает на пиковую пропускную способность. Чтобы не запутаться, посмотрите таблицу (в ней приведены наиболее популярные стандарты: DDR (1 ), DDR2 (2 ), DDR3 (3 )).

Какую частоту выбрать?

Как уже было сказано выше, необходимо отталкиваться от возможностей, которые предоставляет Ваша система. Рекомендуем, чтобы частота совпадала с частотой, поддерживаемой материнской платой/процессором.

Например, Вы подключили модуль DDR3-1800 в слот (разъем), поддерживающий максимально DDR3-1600 , в результате модуль будет работать на частоте слота, т.е. 1600 МГц, не используя свой ресурс в полном объеме, при этом также вероятны сбои и ошибки в работе системы. Надо сказать, что сейчас самыми распространёнными и рекомендуемыми к покупке являются модули типа DDR3 с тактовой частотой 1333 и 1600 МГц.

Для комплексной оценки возможностей оперативки используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает частоту, на которой передаются данные, разрядность шины и количество каналов памяти (это довольно важный параметр быстродействия ОП).

Режимы работы памяти

В современных компьютерах материнские платы поддерживают специальные режимы работы оперативной памяти. Именно в этих режимах скорость её работы будет самой эффективной, поэтому для достижения наилучшего быстродействия, следует учитывать режимы работы модулей памяти и их правильную установку.

Что такое режим работы памяти? — это аналогично работе нескольких ядер CPU , т.е. теоретически скорость работы подсистемы памяти при двухканальном режиме увеличивается в 2 раза, трехканальном — в 3 раза соответственно и т.д.

Рассмотрим подробнее типы режимов:

  • Single chanell mode (одноканальный или ассиметричный) – этот режим включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга по объему памяти, частоте работы или производителю. Здесь неважно, в какие разъемы и какую память устанавливать. Вся память будет работать со скоростью самой медленной из установленной памяти.
  • Dual Mode (двухканальный или симметричный) – в каждом канале устанавливается одинаковый объем оперативной памяти (и теоретически происходит удвоение максимальной скорости передачи данных). Для включения двухканального режима модули памяти устанавливаются парами в 1 и 3 и/или 2 и 4 слоты.
  • Triple Mode (трехканальный) – в каждом из трех каналов устанавливается одинаковый объем оперативной памяти. Модули подбираются по скорости и объему.
    Для включения этого режима модули должны быть установлены в 1 , 3 и 5 /или 2 , 4 и 6 слоты. На практике, кстати говоря, такой режим не всегда оказывается производительнее двухканального, а иногда даже и проигрывает ему в скорости передачи данных.
  • Flex Mode (гибкий) – позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но одинаковых по частоте работы. Как и в двухканальном режиме платы памяти устанавливаются в одноименные разъемы разных каналов.

Обычно наиболее распространенным вариантом является двухканальный режим памяти.

Примечание
В продаже существуют материнские платы с поддержкой четырехканального режима работы памяти, что, по идее, даст Вам максимальную производительность. В общем случае, для эффективной организации работы памяти, необходима установка четного числа модулей памяти (2 или 4 ), причем в парах они должны быть одинакового объема и желательно из одной и той же партии (или одного и того же производителя).

Объём памяти или размер имеет значение?

Еще один важный параметр, про который говорят, что чем больше, тем лучше – это объем. Сразу замечу, что хоть это и существенная характеристика, но зачастую ей приписывают чуть ли не все лавры, в нелегком деле увеличения производительности ПК, что не всегда верно, однако имеет место быть.

Несколько слов о больших объемах памяти я писал в заметке » «.

Тем кому лень читать саму заметку, просто скажу, что, как по мне, так объемы от 6 Гб резонны, особенно в случаях слабой дисковой подсистемы (благо память сейчас стоит копейки). Да и задел на будущее будет неплохой, ибо, как показывает практика, потреблять память программы и операционки начинают все больше и больше.

Тайминги

В ней, помимо того, что можно узнать общую информацию о памяти (вкладка Memory ), так еще и посмотреть (вкладка SPD ), способна ли Ваша «малютка» к разгону, т.е. дружит ли она с профилем XMP или EPP .

Охлаждение

Большинство элементов в процессе работы ПК довольно «нехило» греются и память здесь не исключение (я не скажу, что на ней можно поджарить яичницу, как на видеокарте, но вот обжечься вполне реально:)). Для отвода тепла от микросхем, производители оснащают свои плашки специальными металлическими пластинами/радиаторами, охлаждающими кожухами. В быстродействующих моделях (заранее предназначенных для разгона) иногда доходит до полноценной отдельной системы охлаждения (с большим количеством всевозможных трубок и элементов, как на изображении).

Поэтому, если Вы планируете, скажем так, «плотно нагружать» свою оперативную память и к тому же заниматься (в будущем) разгоном, подумайте о нормальной системе её охлаждения. Глобально, даже обычному пользователю, я рекомендую покупать память хоть в каких-то радиаторах.

Коррекция ошибок ECC

Модули с такой маркировкой имеют на «борту» специальный контроллер, предназначенный для обнаружения и исправления различных ошибок памяти. Теоретически, такая система должна увеличить стабильность работы ОЗУ . На практике же разница в работе между «обычной» и более дорогой ECC -памятью почти незаметна. Поэтому приобретать специально такие модули особого смысла нет. Кроме того, использование ЕСС в модулях памяти может уменьшить скорость её работы на 2 — 10 %.

Собственно с параметрами мы закончили, но самое вкусное осталось как всегда на десерт! Что же, начинаем его поглощать:).

Правильная установка памяти после выбора и покупки

Казалось бы, про правильную установку ОП нечего рассказывать (вроде как все просто — воткнул, нажал и порядок), однако это не совсем так и сейчас мы изучим этот вопрос со всей степенью серьезности:).

Итак (перед установкой), запомните основные правила:

  • будьте осторожны
  • все работы проводите при полностью отключенном от питающей сети компьютере, сухими руками
  • не прилагайте излишних усилий – модули памяти очень хрупкие!
  • системный блок располагайте на прочной и устойчивой поверхности.

Переходим к самому процессу.

Шаг 1.
Первым делом, откройте боковую крышку системного блока (у стандартного вертикального корпуса – это левая крышка, если смотреть на системник спереди). Найдите внутри блока материнскую плату – самая большая плата, расположенная прямо перед Вами. На этой плате Вы увидите блок разъемов для установки модулей оперативной памяти.

Примечание
Количество слотов ОП обычно составляет 2-6 разъемов для большинства материнских плат, применяемых в домашних компьютерах. Перед установкой обратите внимание на видеокарту – она может мешать установке оперативной памяти. Если она мешает, то временно демонтируйте её.

Шаг 2.
На свободном слоте, выбранном для установки оперативки, отстегните специальные защелки на краях.

Аккуратно достаньте новые «мозги» (не гните их, берите осторожно, но уверенно за края) из антистатической упаковки.

Примечание
Внутри каждого разъема имеются небольшие ключи-перемычки, а на контактной части модулей памяти соответствующие им вырезы. Их взаимное совмещение исключает неправильную установку памяти или установку модулей другого типа. У каждого типа разное расположение и количество прорезей, а следовательно, и ключей на разъемах материнской платы (об этом мы уже упомянали, когда говорили про типы памяти).

Шаг 3.
Совместите прорезь на памяти с ключом в слоте материнской платы (как показано на изображении).

Если Вы не можете совместить ключи на планке памяти и на разъеме материнки, то вероятнее всего, Вы купили не тот вид памяти. Проверьте все еще раз, лучше вернуть покупку в магазин и обменять на нужный тип памяти.

Шаг 4.
Вставьте модуль DIMM в разъем, нажимая на его верхний край.

Шаг 5.
Осторожно нажимайте до тех пор, пока модуль полностью не установится в разъем, и фиксирующие защелки по краям разъема не встанут на место.

Шаг 6.
Убедитесь, что удерживающие фиксаторы встали на место и закрылись полностью.

Все, память установлена правильно! Установите на место крышку корпуса системного блока и подключите компьютер к электросети. После установки новой оперативной памяти обязательно протестируйте её специальными утилитами для выявления ошибок.

Стоит сказать несколько слов о режимах работы оперативной памяти.

Материнские платы позволяют работать памяти в n-канальных (двух/трех/четырех) режимах. Для этого слоты различаются цветом и разбиты на пары.

Например, для того чтобы задействовать двухканальный режим работы ОП, нужно чтобы модули (одинаковой частоты/объёма) были вставлены в одноименные разъемы (одним цветом, 1 и 3 ) из разных каналов (смотрите изображение).

Сия процедура позволяет добиться прироста производительности 5-10 % (в сравнении с одноканальным режимом).

Здесь все!

Следуя этой установочной инструкции, Вы не только с легкостью установите память (даже, если никогда этого не делали ранее) в «правильное» место, но и получите от оной максимальную производительность в системе.

Памятка пользователя по выбору

Так как информации получилось довольно много, давайте выделим основные моменты, которые Вам надо усвоить:

  • Заранее узнайте тип поддерживаемой (рекомендованной) производителем памяти
  • Устанавливайте модули памяти с одинаковыми таймингами/объемом/частотой работы и от одного производителя. В идеале приобрести комплект kit — это два модуля с одинаковыми характеристиками от одного производителя, уже протестированные в совместной работе
  • Пропускная способность шины оперативной памяти должна соответствовать пропускной способности шины процессора
  • Для достижения наилучшего быстродействия учитывайте режимы работы модулей и их правильную установку
  • Ищите память с минимальными штатными таймингами (меньше -> лучше)
  • Объем памяти выбирайте исходя из решаемых ПК задач и типа операционной системы
  • Выбирайте известных (зарекомендовавших себя) производителей, например: OCZ, Kingston, Corsair и пр.
  • Разгонный потенциал памяти напрямую зависит от чипов, на которых она произведена. Поэтому убедитесь, что память делал известный производитель, тогда наиболее вероятно, что чипы обеспечат более надежное питание, будут иметь большую помехоустойчивость, что благоприятно скажется на работе памяти в нештатных режимах
  • Если Вы планируете заниматься разгоном системы или хотите получить максимальную производительность (например, собрать игровой ПК), то следует обратить внимание на специальную оверклокерскую память с усиленным охлаждением.

Основываясь на этой информации, Вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти, который будет заботиться о том, чтобы родимая железка еще долго держала (и не роняла) высокую планку производительности.

Также хочется сказать, что если Вы надеетесь, что где-то между строк мы еще скажем пару слов о разгоне, то не надейтесь (:)), ибо этому вопросу будет посвящена отдельная (еще более вкусная) статья, в которой будут все тонкости разгона и «выжиму» максимума из своих «мозгов». Однако это уже совсем другая история..

Где лучше всего купить оперативную память?

Дней поменять товар без всяких вопросов, а уж в случае гарантийных проблем магазин встанет на Вашу сторону и поможет решить любые проблемы. Автор сайта пользуется им уже лет 10 минимум (еще со времен, когда они были частью Ultra Electoronics ), чего и Вам советует;

  • , — один из старейших магазинов на рынке, как компания существует где-то порядка 20 лет. Приличный выбор, средние цены и один из самых удобных сайтов. В общем и целом приятно работать.
  • Выбор, традиционно, за Вами. Конечно, всякие там Яндекс.Маркет «ы никто не отменял, но из хороших магазинов я бы рекомендовал именно эти, а не какие-нибудь там МВидео и прочие крупные сети (которые зачастую не просто дороги, но ущербны в плане качества обслуживания, работы гарантийки и пр).

    Послесловие

    Надеюсь, что сей материал займет достойное место на полочке с багажом Ваших «железных знаний» и не раз (а два и даже три:)) поможет советом в непростом деле покупки «думающей начинки» для компьютерного собрата.

    Оставайтесь на нашей ИТ-волне и Вы узнаете еще много чего интересного. Как и всегда, если Вам есть что сказать, то комментарии терпеливо ждут своей очереди.

    PS: Помимо танцев с бубнами над оперативкой в целях увеличения производительности компьютера, можно использовать ещё один весьма недурственный инструмент – файл подкачки. О том, как правильно его создать/настроить, Вы можете узнать из заметки, расположенной по .

    PS 2: За существование данной статьи спасибо члену команды 25 КАДР

    Оперативная память используется для временного хранения данных, необходимых для работы операционной системы и всех программ. Оперативной памяти должно быть достаточно, если ее не хватает, то компьютер начинает тормозить.

    Плата с чипами памяти называется модулем памяти (или планкой). Память для ноутбука, кроме размера планок, ни чем не отличается от памяти для компьютера, поэтому при выборе руководствуйтесь теми же рекомендациями.

    Для офисного компьютера достаточно одной планки DDR4 на 4 Гб с частотой 2400 или 2666 МГц (стоит почти одинаково).
    Оперативная память Crucial CT4G4DFS824A

    Для мультимедийного компьютера (фильмы, простые игры) лучше взять две планки DDR4 с частотой 2666 МГц по 4 Гб, тогда память будет работать в более быстром двухканальном режиме.
    Оперативная память Ballistix BLS2C4G4D240FSB

    Для игрового компьютера среднего класса можно взять одну планку DDR4 на 8 Гб с частотой 2666 МГц с тем, чтобы в будущем можно было добавить еще одну и лучше если это будет ходовая модель попроще.
    Оперативная память Crucial CT8G4DFS824A

    А для мощного игрового или профессионального ПК нужно сразу брать набор из 2 планок DDR4 по 8 Гб, при этом будет вполне достаточно частоты 2666 МГц.

    2. Сколько нужно памяти

    Для офисного компьютера, предназначенного для работы с документами и выхода в интернет, с головой достаточно одной планки памяти на 4 Гб.

    Для мультимедийного компьютера, который можно будет использовать для просмотра видео в высоком качестве и нетребовательных игр, вполне хватит 8 Гб памяти.

    Для игрового компьютера среднего класса вариантом минимум является 8 Гб оперативки.

    Для мощного игрового или профессионального компьютера необходимо 16 Гб памяти.

    Больший объем памяти может понадобиться только для очень требовательных профессиональных программ и обычным пользователям не нужен.

    Объем памяти для старых ПК

    Если вы решили увеличить объем памяти на старом компьютере, то учтите, что 32-разрядные версии Windows не поддерживают более 3 Гб оперативной памяти. То есть, если вы установите 4 Гб оперативной памяти, то операционная система будет видеть и использовать только 3 Гб.

    Что касается 64-разрядных версий Windows, то они смогут использовать всю установленную память, но если у вас старый компьютер или есть старый принтер, то на них может не оказаться драйверов под эти операционные системы. В таком случае, перед покупкой памяти, установите 64-х разрядную версию Windows и проверьте все ли у вас работает. Так же рекомендую заглянуть на сайт производителя материнской платы и посмотреть какой объем модулей и общий объем памяти она поддерживает.

    Учтите еще, что 64-разрядные операционные системы расходуют в 2 раза больше памяти, например Windows 7 х64 под свои нужды забирает около 800 Мб. Поэтому 2 Гб памяти для такой системы будет мало, желательно не менее 4 Гб.

    Практика показывает, что современные операционные системы Windows 7,8,10 полностью раскрываются при объеме памяти 8 Гб. Система становится более отзывчивой, программы быстрее открываются, а в играх исчезают рывки (фризы).

    3. Типы памяти

    Современная память имеет тип DDR SDRAM и постоянно совершенствуется. Так память DDR и DDR2 уже является устаревшей и может использоваться только на старых компьютерах. Память DDR3 уже не целесообразно использовать на новых ПК, на смену ей пришла более быстрая и перспективная DDR4.

    Учтите, что выбранный тип памяти должен поддерживать процессор и материнская плата.

    Также новые процессоры, из соображений совместимости, могут поддерживать память DDR3L, которая отличается от обычной DDR3 пониженным напряжением с 1.5 до 1.35 В. Такие процессоры смогут работать и с обычной памятью DDR3, если у вас она уже есть, но производители процессоров это не рекомендуют из-за повышенной деградации контроллеров памяти, рассчитанных на DDR4 с еще более низким напряжением 1.2 В.

    Тип памяти для старых ПК

    Устаревшая память DDR2 стоит в несколько раз дороже более современной памяти. Планка DDR2 на 2 Гб стоит в 2 раза дороже, а планка DDR2 на 4 Гб в 4 раза дороже планки DDR3 или DDR4 аналогичного объема.

    Поэтому, если вы хотите существенно увеличить память на старом компьютере, то возможно более оптимальным вариантом будет переход на более современную платформу с заменой материнской платы и если необходимо процессора, которые будут поддерживать память DDR4.

    Подсчитайте во сколько вам это обойдется, возможно выгодным решением будет продать старую материнскую плату со старой памятью и приобрести новые, пусть не самые дорогие, но более современные комплектующие.

    Разъемы материнской платы для установки памяти называются слотами.

    Каждому типу памяти (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) соответствует свой слот. Память DDR3 можно установить только в материнскую плату со слотами DDR3, DDR4 – со слотами DDR4. Материнские платы, поддерживающие старую память DDR2 уже не производят.

    5. Характеристики памяти

    Основными характеристиками памяти, от которых зависит ее быстродействие, являются частота и тайминги. Скорость работы памяти не оказывает такого сильного влияния на общую производительность компьютера как процессор. Тем не менее, часто можно приобрести более быструю память не на много дороже. Быстрая память нужна прежде всего для мощных профессиональных компьютеров.

    5.1. Частота памяти

    Частота оказывает наибольшее значение на скорость работы памяти. Но перед ее покупкой необходимо убедиться, что процессор и материнская плата так же поддерживают необходимую частоту. В противном случае реальная частота работы памяти будет ниже и вы просто переплатите за то, что не будет использоваться.

    Недорогие материнские платы поддерживают более низкую максимальную частоту памяти, например для DDR4 это 2400 МГц. Материнские платы среднего и высокого класса могут поддерживать память с более высокой частотой (3400-3600 МГц).

    А вот с процессорами дело обстоит иначе. Старые процессоры с поддержкой памяти DDR3 могут поддерживать память с максимальной частотой 1333, 1600 или 1866 МГц (в зависимости от модели). Для современных процессоров с поддержкой памяти DDR4 максимально поддерживаемая частота памяти может составлять 2400 МГц или выше.

    Процессоры Intel 6-го поколения и выше, а также процессоры AMD Ryzen поддерживают память DDR4 с частотой 2400 МГц или выше. При этом в их модельном ряду есть не только мощные дорогие процессоры, но и процессоры среднего и бюджетного класса. Таким образом, вы можете собрать компьютер на самой современной платформе с недорогим процессором и памятью DDR4, а в будущем поменять процессор и получить высочайшую производительность.

    Основной на сегодня является память DDR4 2400 МГц, которая поддерживается наиболее современными процессорами, материнскими платами и стоит столько же как DDR4 2133 МГц. Поэтому приобретать память DDR4 с частотой 2133 МГц сегодня не имеет смысла.

    Какую частоту памяти поддерживает тот или иной процессор можно узнать на сайтах производителей:

    По номеру модели или серийному номеру очень легко найти все характеристики любого процессора на сайте:

    Или просто введите номер модели в поисковой системе Google или Яндекс (например, «Ryzen 7 1800X»).

    5.2. Память с высокой частотой

    Теперь я хочу затронуть еще один интересный момент. В продаже можно встретить оперативную память гораздо более высокой частоты, чем поддерживает любой современный процессор (3000-3600 МГц и выше). Соответственно, многие пользователи задаются вопросом как же такое может быть?

    Все дело в технологии, разработанной компанией Intel, eXtreme Memory Profile (XMP). XMP позволяет памяти работать на более высокой частоте, чем официально поддерживает процессор. XMP должна поддерживать как сама память, так и материнская плата. Память с высокой частотой просто не может существовать без поддержки этой технологии, но далеко не все материнские платы могут похвастаться ее поддержкой. В основном это более дорогие модели выше среднего класса.

    Суть технологии XMP заключается в том, что материнская плата автоматически увеличивает частоту шины памяти, благодаря чему память начинает работать на своей более высокой частоте.

    У компании AMD существует подобная технология, называемая AMD Memory Profile (AMP), которая поддерживалась старыми материнскими платами для процессоров AMD. Эти материнские платы обычно поддерживали и модули XMP.

    Приобретать более дорогую память с очень высокой частотой и материнскую плату с поддержкой XMP есть смысл для очень мощных профессиональных компьютеров, оснащенных топовым процессором. В компьютере среднего класса это будут выброшенные на ветер деньги, так как все упрется в производительность других комплектующих.

    В играх частота памяти оказывает небольшое влияние и переплачивать особого смысла нет, достаточно будет взять на 2400 МГц, ну или на 2666 МГц если разница в цене будет небольшая.

    Для профессиональных приложений можно взять память с частотой повыше – 2666 МГц или если хотите и позволяют средства на 3000 МГц. Разница в производительности тут больше чем в играх, но не кардинальная, так что загоняться с частотой памяти особого смысла нет.

    Еще раз напоминаю, что ваша материнская плата должна поддерживать память требуемой частоты. Кроме того, иногда процессоры Intel начинают работать нестабильно при частоте памяти выше 3000 МГц, а у Ryzen этот предел составляет около 2900 МГц.

    Таймингами называются задержки между операциями чтения/записи/копирования данных в оперативной памяти. Соответственно чем эти задержки меньше, тем лучше. Но тайминги оказывают гораздо меньшее влияние на скорость работы памяти, чем ее частота.

    Основных таймингов, которые указываются в характеристиках модулей памяти всего 4.

    Из них самой главной является первая цифра, которая называется латентность (CL).

    Типичная латентность для памяти DDR3 1333 МГц – CL 9, для памяти DDR3 с более высокой частотой – CL 11.

    Типичная латентность для памяти DDR4 2133 МГц – CL 15, для памяти DDR4 с более высокой частотой – CL 16.

    Не стоит приобретать память с латентностью выше указанной, так как это говорит об общем низком уровне ее технических характеристик.

    Обычно, память с более низкими таймингами стоит дороже, но если разница в цене не значительная, то предпочтение следуют отдать памяти с более низкой латентностью.

    5.4. Напряжение питания

    Память может иметь различное напряжение питания. Оно может быть как стандартным (общепринятым для определенного типа памяти), так и повышенным (для энтузиастов) или наоборот пониженным.

    Это особенно важно если вы хотите добавить память на компьютер или ноутбук. В таком случае напряжение новых планок должно быть таким же, как и у имеющихся. В противном случае возможны проблемы, так как большинство материнских плат не могут выставлять разное напряжение для разных модулей.

    Если напряжение выставится по планке с более низким вольтажом, то другим может не хватить питания и система будет работать не стабильно. Если напряжение выставится по планке с более высоким вольтажом, то память рассчитанная на меньшее напряжение может выйти из строя.

    Если вы собираете новый компьютер, то это не так важно, но чтобы избежать возможных проблем совместимости с материнской платой и заменой или расширением памяти в будущем, лучше выбирать планки со стандартным напряжением питания.

    Память, в зависимости от типа, имеет следующие стандартные напряжения питания:

    • DDR — 2. 5 В
    • DDR2 — 1.8 В
    • DDR3 — 1.5 В
    • DDR3L — 1.35 В
    • DDR4 — 1.2 В

    Я думаю, вы обратили внимание на то, что в списке есть память DDR3L. Это не новый тип памяти, а обычная DDR3, но с пониженным напряжением питания (Low). Именно такая память нужна для процессоров Intel 6-го поколения и выше, которые поддерживают как память DDR4, так и DDR3. Но лучше в таком случае все же собирать систему на новой памяти DDR4.

    6. Маркировка модулей памяти

    Модули памяти маркируются в зависимости от типа памяти и ее частоты. Маркировка модулей памяти типа DDR начинается с PC, затем идет цифра, обозначающая поколение и скорость в мегабайтах в секунду (Мб/с).

    По такой маркировке неудобно ориентироваться, достаточно знать тип памяти (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), ее частоту и латентность. Но иногда, например на сайтах объявлений, можно увидеть маркировку, переписанную с планки. Поэтому, чтобы вы могли сориентироваться в таком случае, я приведу маркировку в классическом виде, с указанием типа памяти, ее частоты и типичной латентности.

    DDR – устаревшая

    • PC-2100 (DDR 266 МГц) — CL 2.5
    • PC-2700 (DDR 333 МГц) — CL 2.5
    • PC-3200 (DDR 400 МГц) — CL 2.5

    DDR2 – устаревшая

    • PC2-4200 (DDR2 533 МГц) — CL 5
    • PC2-5300 (DDR2 667 МГц) — CL 5
    • PC2-6400 (DDR2 800 МГц) — CL 5
    • PC2-8500 (DDR2 1066 МГц) — CL 5

    DDR3 – устаревающая

    • PC3-10600 (DDR3 1333 МГц) — CL 9
    • PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) — CL 11
    • PC3-14400 (DDR3 1866 МГц) — CL 11
    • PC3-16000 (DDR3 2000 МГц) — CL 11
    • PC4-17000 (DDR4 2133 МГц) — CL 15
    • PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) — CL 16
    • PC4-21300 (DDR4 2666 МГц) — CL 16
    • PC4-24000 (DDR4 3000 МГц) — CL 16
    • PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) — CL 16

    Память DDR3 и DDR4 может иметь и более высокую частоту, но работать с ней могут только топовые процессоры и более дорогие материнские платы.

    7. Конструкция модулей памяти

    Планки памяти могут быть односторонние, двухсторонние, с радиаторами или без.

    7.1. Размещение чипов

    Чипы на модулях памяти могут размещаться с одной стороны платы (односторонние) и с двух сторон (двухсторонние).

    Это не имеет значения если вы приобретаете память для нового компьютера. Если же вы хотите добавить память на старый ПК, то желательно, чтобы расположение чипов на новой планке было такое же как и на старой. Это поможет избежать проблем совместимости и повысит вероятность работы памяти в двухканальном режиме, о чем мы еще поговорим в этой статье.

    Сейчас в продаже можно встретить множество модулей памяти с алюминиевыми радиаторами различного цвета и формы.

    Наличие радиаторов может быть оправдано на памяти DDR3 с высокой частотой (1866 МГц и более), так как она сильнее греется. При этом в корпусе должна быть хорошо организована вентиляция.

    Современная оперативка DDR4 с частотой 2400, 2666 МГц практически не греется и радиаторы на ней будут носить чисто декоративный характер. Они могут даже мешать, так как через некоторое время забьются пылью, которую из них трудно вычистить. Кроме того, стоить такая память будет несколько дороже. Так что, если хотите, на этом можно сэкономить, например, взяв отличную память Crucial на 2400 МГц без радиаторов.

    Память с частотой от 3000 МГц имеет еще и повышенное напряжение питания, но тоже греется не сильно и в любом случае на ней будут радиаторы.

    8. Память для ноутбуков

    Память для ноутбуков отличается от памяти для стационарных компьютеров только размером модуля памяти и маркируется SO-DIMM DDR. Так же как и для стационарных компьютеров память для ноутбуков имеет типы DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4.

    По частоте, таймингам и напряжению питания память для ноутбуков не отличается от памяти для компьютеров. Но ноутбуки оснащаются только 1 или 2 слотами для памяти и имеют более жесткие ограничения максимального объема. Обязательно уточняйте эти параметры перед выбором памяти для конкретной модели ноутбука.

    9. Режимы работы памяти

    Память может работать в одноканальном (Single Channel), двухканальном (Dual Channel), трехканальном (Triple Channel) или четырехканальном режиме (Quad Channel).

    В одноканальном режиме запись данных происходит последовательно в каждый модуль. В многоканальных режимах запись данных происходит параллельно во все модули, что приводит к значительному увеличению быстродействия подсистемы памяти.

    Одноканальным режимом работы памяти ограничены только безнадежно устаревшие материнские платы с памятью DDR и первые модели с DDR2.

    Все современные материнские платы поддерживают двухканальный режим работы памяти, а трехканальный и четырехканальный режим поддерживают только некоторые единичные модели очень дорогих материнских плат.

    Главным условием работы двухканального режима является наличие 2 или 4 планок памяти. Для трехканального режима необходимо 3 или 6 планок памяти, а для четырехканального 4 или 8 планок.

    Желательно, чтобы все модули памяти были одинаковыми. В противном случае работа в двухканальном режиме не гарантируется.

    Если вы хотите добавить память на старый компьютер и ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим, постарайтесь подобрать максимально идентичную по всем параметрам планку. Лучше всего продать старую и купить 2 новых одинаковых планки.

    В современных компьютерах контроллеры памяти были перенесены с материнской платы в процессор. Теперь не так важно, чтобы модули памяти были одинаковыми, так как процессор в большинстве случаев все равно сможет активировать двухканальный режим. Это значит, что если вы в будущем захотите добавить память на современный компьютер, то не обязательно будет искать точь в точь такой же модуль, достаточно выбрать наиболее похожий по характеристикам. Но все же я рекомендую, что бы модули памяти были одинаковыми. Это даст вам гарантию ее быстрой и стабильной работы.

    С переносом контроллеров памяти в процессор появились еще 2 режима двухканальной работы памяти – Ganged (спаренный) и Unganged (неспаренный). В случае если модули памяти одинаковые, то процессор может работать с ними в режиме Ganged, как и раньше. В случае, если модули отличаются по характеристикам, то для устранения перекосов в работе с памятью процессор может активировать режим Unganged. В целом скорость работы памяти в этих режимах практически одинаковая и не имеет никакой разницы.

    Единственным недостатком двухканального режима является то, что несколько модулей памяти стоят дороже, чем один такого же объема. Но если вы не очень сильно стеснены в средствах, то покупайте 2 планки, скорость работы памяти будет значительно выше.

    Если вам нужно, скажем 16 Гб оперативки, но вы пока не можете себе этого позволить, то можно приобрести одну планку на 8 Гб, чтобы в будущем добавить еще одну такую же. Но все же лучше приобретать две одинаковых планки сразу, так как потом может не получиться найти такую же и вы столкнетесь с проблемой совместимости.

    10. Производители модулей памяти

    Одним из лучших соотношений цена/качество на сегодня обладает память безукоризненно зарекомендовавшего себя бренда Crucial, у которого есть модули от бюджетных до геймерских (Ballistix).

    Наравне с ним соперничает пользующийся заслуженной популярностью бренд Corsair, память которого стоит несколько дороже.

    Как недорогую, но качественную альтернативу, особенно рекомендую польский бренд Goodram, у которого есть планки с низкими таймингами за невысокую цену (линейка Play).

    Для недорогого офисного компьютера достаточно будет простой и надежной памяти производства AMD или Transcend. Они прекрасно себя зарекомендовали и с ними практически не бывает проблем.

    Вообще, лидерами в производстве памяти считаются корейские компании Hynix и Samsung. Но сейчас модули этих брендов массово производятся на дешевых китайских фабриках и среди них очень много подделок. Поэтому я не рекомендую приобретать память этих брендов.

    Исключением могут быть модули памяти Hynix Original и Samsung Original, которые производятся в Корее. Эти планки обычно синего цвета, их качество считается лучше чем в сделанных в Китае и гарантия на них бывает несколько выше. Но по скоростным характеристикам они уступают памяти с более низкими таймингами других качественных брендов.

    Ну а для энтузиастов и любителей модинга есть доступные оверклокерские бренды GeIL, G. Skill, Team. Их память отличается низкими таймингами, высоким разгонным потенциалом, необычным внешним видом и стоит немного дешевле раскрученного бренда Corsair.

    В продаже также есть большой ассортимент модулей памяти от очень популярного производителя Kingston. Память, продающаяся под бюджетным брендом Kingston, никогда не отличалась высоким качеством. Но у них есть топовая серия HyperX, пользующаяся заслуженной популярностью, которую можно рекомендовать к приобретению, однако цена на нее часто завышена.

    11. Упаковка памяти

    Лучше приобретать память в индивидуальной упаковке.

    Обычно она более высокого качества и вероятность повреждения при транспортировке значительно ниже, чем у памяти, которая поставляется без упаковки.

    12. Увеличение памяти

    Если вы планируете добавить память на имеющийся компьютер или ноутбук, то сначала узнайте какой максимальный объем планок и общий объем памяти поддерживает ваша материнская плата или ноутбук.

    Также уточните сколько слотов для памяти на материнской плате или в ноутбуке, сколько из них занято и какие планки в них установлены. Лучше сделать это визуально. Откройте корпус, выньте планки памяти, рассмотрите их и перепишите все характеристики (или сделайте фото).

    Если по какой-то причине вы не хотите лезть в корпус, то посмотреть параметры памяти можно в программе на вкладке SPD. Таким образом вы не узнаете односторонняя планка или двухсторонняя, но можете узнать характеристики памяти, если на планке нет наклейки.

    Есть базовая и эффективная частота памяти. Программа CPU-Z и многие подобные показывают базовую частоту, ее нужно умножать на 2.

    После того, как вы узнаете до какого объема можете увеличить память, сколько свободных слотов и какая память у вас установлена, можно будет приступать к изучению возможностей по увеличению памяти.

    Если все слоты для памяти заняты, то единственной возможностью увеличения памяти остается замена существующих планок на новые большего объема. А старые планки можно будет продать на сайте объявлений или сдать на обмен в компьютерный магазин при покупке новых.

    Если свободные слоты есть, то можно добавить к уже существующим планкам памяти новые. При этом желательно, чтобы новые планки были максимально близки по характеристикам уже установленным. В этом случае можно избежать различных проблем совместимости и повысить шансы того, что память будет работать в двухканальном режиме. Для этого должны быть соблюдены следующие условия, в порядке важности.

    1. Тип памяти должен совпадать (DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4).
    2. Напряжение питания всех планок должно быть одинаковым.
    3. Все планки должны быть односторонние или двухсторонние.
    4. Частота всех планок должна совпадать.
    5. Все планки должны быть одинакового объема (для двухканального режима).
    6. Количество планок должно быть четным: 2, 4 (для двухканального режима).
    7. Желательно, чтобы совпадала латентность (CL).
    8. Желательно, чтобы планки были того же производителя.

    Проще всего начать выбор с производителя. Выбирайте в каталоге интернет-магазина планки того же производителя, объема и частоты, как установлены у вас. Убедитесь, что совпадает напряжение питания и уточните у консультанта односторонние они или двухсторонние. Если будет еще совпадать и латентность, то вообще хорошо.

    Если вам не удалось найти похожие по характеристикам планки того же производителя, то выбирайте всех остальных из перечня рекомендуемых. Затем опять ищите планки нужного объема и частоты, сверяете напряжение питания и уточняете односторонние они или двухсторонние. Если вам не удалось найти похожие планки, то поищите в другом магазине, каталоге или на сайте объявлений.

    Всегда лучший вариант это продать всю старую память и купить 2 новых одинаковых планки. Если материнская плата не поддерживает планки нужного объема, возможно придется купить 4 одинаковых планки.

    13. Настройка фильтров в интернет-магазине

    1. Зайдите в раздел «Оперативная память» на сайте продавца.
    2. Выберите рекомендуемых производителей.
    3. Выберите формфактор (DIMM — ПК, SO-DIMM — ноутбук).
    4. Выберете тип памяти (DDR3, DDR3L, DDR4).
    5. Выберите необходимый объем планок (2, 4, 8 Гб).
    6. Выберите максимально поддерживаемую процессором частоту (1600, 1866, 2133, 2400 МГц).
    7. Если ваша материнская плата поддерживает XMP, добавьте к выборке память с более высокой частотой (2666, 3000 МГц).
    8. Отсортируйте выборку по цене.
    9. Последовательно просматривайте все позиции, начиная с более дешевых.
    10. Выберите несколько планок подходящих по частоте.
    11. Если разница в цене для вас приемлема, берите планки с большей частотой и меньшей латентностью (CL).

    Таким образом, вы получите оптимальную по соотношению цена/качество/скорость память за минимально возможную стоимость.

    14. Ссылки

    Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16
    Оперативная память Corsair CMK8GX4M2A2400C16
    Оперативная память Crucial CT2K4G4DFS824A

    Категорически не рекомендуется ставить эксперименты на основном
    рабочем компьютере, лучше найти какую-нибудь старую плату, оставшуюся, например,
    с прошлого апгрейда или частично исправную и собрать на ее базе «полигон».

    Об аппаратной защите и ее эффективности

    Микросхема 24C02 поддерживает аппаратную
    защиту записи. Для этого используется вход WP (Write Protect). Это контакт 7 на
    8-контактном корпусе микросхемы. При WP=0 запись разрешена, при WP=1 запрещена.
    С точки зрения использования этой функции, модули памяти бывают трех типов:

    Первый вариант – вход WP подключен к схемной «земле», то есть WP=0. Защиты нет.

    Второй вариант – вход WP подключен к плюсовой линии питания, то есть WP=1. При
    этом микросхема SPD постоянно защищена от записи, и программно изменить ее
    содержимое невозможно.

    Третий вариант – вход WP подключен к соответствующему контакту на разъеме DIMM.
    При этом наличие защиты записи будет зависеть от материнской платы, а именно от
    того, какой логический уровень подает она на данный контакт. Обычно подается
    постоянный уровень «0» или «1», что обеспечивает разрешение или запрет записи
    соответственно. Теоретически, на материнской плате может быть реализован
    программно-доступный регистр, через который можно управлять состоянием этой
    линии, то есть программно устанавливать и снимать защиту записи SPD. Но на
    практике такие решения встречаются крайне редко.

    Тем, кто решит поэкспериментировать с перезаписью SPD, необходимо проверить
    наличие логического «0» на контакте 7 микросхемы 24C02 и при необходимости
    внести изменения в схему. Описание этой микросхемы приведено в .
    Расположение сигналов на разъеме DIMM для разных типов памяти приведено в
    .

    Другой тип защиты – отключение сигналов шины SMBus с помощью
    программно-управляемых коммутаторов. Смысл такой защиты в том, что для
    управления указанными коммутаторами используются специфические ресурсы
    материнской платы, не являющиеся частью чипсета. Поэтому для ответа на вопрос,
    что и в какой регистр нужно записать для выключения защиты, документации на
    чипсет недостаточно, требуется принципиальная электрическая схема данной
    материнской платы, которая обычно недоступна. На практике этот тип защиты
    используется достаточно редко. Автор встречал его только в некоторых моделях
    плат производства фирмы ASUS.

    Таким образом, в большинстве платформ, защищенность информации SPD от
    программного искажения зависит только от подключения входа WP микросхемы 24C02
    на модуле DIMM.

    Симптомы неисправности

    Разумеется, содержимое микросхемы SPD модуля памяти может быть искажено не
    только в результате действия вредоносных программ. Причиной может быть
    программный сбой, а также аппаратная неисправность самой микросхемы SPD или
    контроллера SMBus.

    Симптомы такой неисправности существенно различаются в зависимости от двух
    факторов: типа платформы и характера искажения (какие именно параметры
    искажены).

    В «древних» платформах, использующих память PC66, PC100, PC133 SDRAM, несмотря
    на то, что модули DIMM уже содержали SPD, разработчики BIOS в силу определенной
    инерционности использовали «старые» методы детектирования памяти, основанные на
    записи в ОЗУ тестовых данных и их контрольном считывании по специальному
    алгоритму без использования SPD. В таких платформах искаженность содержимого
    микросхемы SPD и даже ее физическое снятие с модуля DIMM, в большинстве случаев
    не приводит к потере работоспособности, хотя контроллер памяти может быть
    проинициализирован неоптимально.

    Используя данное свойство «древних» платформ автор успешно применял плату на
    чипсете Intel BX в качестве программатора для микросхем 24C02, временно
    устанавливая микросхему, которую требуется записать, на один из модулей памяти,
    вместо микросхемы SPD.

    В более новых платформах, использующих DDR, DDR2, DDR3, процедура настройки
    контроллера памяти значительно сложнее и выполнить ее без привлечения информации
    из SPD невозможно. Такие платы обычно не стартуют, если присутствует хотя бы
    один модуль DIMM с некорректным содержимым SPD. Даже если этот модуль установлен
    в старшем банке, а в младшем находится исправный модуль.

    Разумеется, многое зависит и от того какой параметр искажен. Например, если
    увеличено значение байта, задающего тактовый период, BIOS будет устанавливать
    пониженную частоту при инициализации контроллера памяти, что приведет к падению
    быстродействия.

    Отметим, что данные SPD защищены контрольной суммой, поэтому вредоносная
    программа, желающая изменить тайминги модуля памяти без вывода его из строя,
    должна корректировать значение контрольной суммы после изменения значений
    параметров. Также отметим, что на некоторых материнских платах BIOS не
    проверяет контрольную сумму SPD. Поэтому модуль памяти с работоспособными
    значениями параметров, но некорректной контрольной суммой SPD, может нормально
    работать на таких платах.

    Меры предосторожности

    Тем, кто решится поэкспериментировать с перезаписью микросхем SPD, следует
    заранее позаботиться о восстановлении их содержимого. Исходное содержимое SPD
    всех модулей памяти следует предварительно сохранить в файлах с помощью
    программы чтения SPD, имеющейся в предлагаемом наборе. Категорически не
    рекомендуется ставить такие эксперименты на основном рабочем компьютере, лучше
    найти какую-нибудь старую плату, оставшуюся, например, с прошлого апгрейда или
    частично исправную и собрать на ее базе «полигон».

    Оптимально, если это будет плата на чипсетах, например Intel TX, LX, BX,
    использующая SDRAM первого поколения. Как было сказано выше, такие платы обычно
    сохраняют работоспособность при некорректном содержимом SPD, поэтому вероятность
    получить нестартующую систему будет ниже.

    Напомним, что BIOS считывает SPD только при перезапуске компьютера, поэтому,
    делая опыты по перезаписи SPD, по возможности восстанавливайте исходное
    содержимое перед сбросом или выключением питания.

    Программа чтения SPD (каталог WORK\READ)

    Как и в ранее опубликованных статьях данного цикла, в целях монопольного и
    беспрепятственного взаимодействия программы с оборудованием при работе с
    предлагаемыми примерами, автор применил «древнюю» технологию отладки под DOS.
    Аргументация такого шага и рекомендации по организации рабочего места приведены
    в ранее опубликованной статье » «.

    Программа считывает содержимое SPD заданного модуля памяти (номер модуля
    запрашивается) и сохраняет его в двоичном файле SPD. BIN, размером 256 байт. В
    текущей версии поддерживаются чипсеты:

    Intel от 430TX до 945 (c «южными мостами» PIIX4, ICH0-ICH7).
    VIA от MVP3 до К8x (с «южными мостами» VT82C586B, VT82C596A/B, VT82C686A/B,
    VT8233, VT8235, VT8237).

    Поддержка чипсетов NVidia, SiS, ATI планируется в последующих реализациях
    программы. При наличии читательского интереса автор вернется к данной теме.

    Каталог содержит следующие файлы:

    ASM_TD.BAT – обеспечивает ассемблирование, линковку и запуск программы под
    отладчиком. При запуске TASM и TLINK используются опции, обеспечивающие
    добавление отладочной информации в EXE файл.

    ASM_EXE.BAT – обеспечивает ассемблирование и линковку. Генерируется EXE файл.

    RD_SPD.ASM – основной модуль программы.

    A20.INC – Библиотека для управления и контроля состояния адресной линии A20 с
    использованием выходного порта контроллера клавиатуры.

    BIGREAL.INC – Библиотека поддержки режима Big Real Mode, для использования
    32-битных адресов в диапазоне 0-4 Гб. Этот режим, как и управление адресной
    линией A20, необходимы в данной программе только в том случае, когда чипсет
    содержит конфигурационные регистры, находящиеся в пространстве памяти и для
    включения контроллера SMB требуется перенастройка данных регистров (в том
    случае, если BIOS запретил контроллер SMB перед загрузкой ОС). Такие регистры
    имеются, например, в «южных мостах» Intel ICH6, ICH7. Это регистры memory-mapped
    диапазона Root Complex Base Address – RCBA, подробности в .

    SCREEN.INC – Библиотека функций для вывода на экран в текстовом режиме 80×25
    символов.

    NUMPRINT.INC – Библиотека для вывода шестнадцатеричных чисел в текстовом виде.

    PCIBIOS.INC – Библиотека для доступа к конфигурационному пространству с
    использованием функций PCIBIOS. Подробности в .

    REFRDEL.INC – Подпрограмма задержки, использующая Refresh Trigger. Подробности в
    .

    SMBUS.INC – Диспетчер функций для процедур поддержки System Management Bus.

    SMBDEVS.INC – Библиотека, обеспечивающая поддержку чипсетов. В этот модуль
    вынесены подпрограммы, написанные под заданные чипсеты.

    TEXT.INC – Текстовые строки.

    CPU_DATA.INC – Данные, используемые для управления адресной линией A20 и
    включения режима Big Real Mode, обеспечивающего 32-битную адресацию.

    SMB_DATA.INC – Переменные и константы, используемые процедурами поддержки System
    Management Bus.

    Примечание 1.

    Если файл с именем SPD.BIN уже существует, он будет перезаписан без
    предупреждения.

    Примечание 2.

    В большинстве плат нумерация модулей памяти идет от центра платы. Например,
    если на плате 4 разъема для DIMM, то у ближайшего к процессору разъема 3-битный
    адрес микросхемы SPD будет 000b=0, у дальнего разъема 011b=3. Вместе с тем,
    встречаются исключения, поэтому перед выполнением экспериментов следует
    проверить нумерацию модулей. Это можно сделать с помощью диагностических утилит,
    либо устанавливая один модуль поочередно во все разъемы и проверяя, при задании
    какого номера DIMM программа его распознает.

    Примечание 3.

    В исходных текстах программы, наряду с процедурами чтения и записи байтов,
    используемыми при операциях с микросхемами SPD (Read_Byte, Write_Byte),
    содержатся также процедуры чтения и записи блоков (Read_Block, Write_Block). В
    данной версии программы они не используются и резервируются для будущего
    расширения функциональности. Процедуры блокового чтения и записи SMB потребуются
    для взаимодействия с регистрами тактового генератора.

    Программа записи SPD (каталог WORK\WRITE)

    Программа считывает двоичный файл SPD.BIN, размером 256 байт и записывает его
    содержимое в заданную микросхему SPD (номер модуля DIMM запрашивается).
    Контрольная сумма автоматически корректируется.

    Каталог содержит такой же набор файлов, что и каталог WORK\READ,
    описанный выше.

    Примечание 1.

    Для плат с «южным мостом» VIA VT82C586B поддерживается только чтение SPD, без
    записи. Это ограничение программы, не чипсета.

    Примечание 2.

    Программа записи SPD автоматически корректирует контрольную сумму данных.
    Согласно стандарту, байт с адресом 3Fh должен содержать младшие 8 бит суммы
    байтов с адресами 00h-3Eh. Если программа используется для модулей памяти,
    использующих другой формат, либо требуется запрограммировать в микросхему
    данные, не являющиеся информацией SPD, процедуру вычисления контрольной суммы
    потребуется модифицировать.

    Примечание 3.

    На некоторых модулях памяти, в целях снижения стоимости, вместо микросхемы
    24C02, допускающей перезапись, используется масочная микросхема постоянного
    запоминающего устройства (ПЗУ), переписать содержимое которой невозможно.

    Текстовые документы (каталог WORK\DOC).

    README.TXT – краткая справка по использованию программ чтения и записи SPD.

    SPD_SDR – описание формата SPD для модулей памяти SDRAM.

    SPD_DDR – описание формата SPD для модулей памяти DDR SDRAM.

    SPD_DDR2 – описание формата SPD для модулей памяти DDR2 SDRAM.

    Документы в текстовом формате MS DOS. Перечисленные текстовые файлы могут быть
    использованы как краткая русскоязычная справка по форматам SPD для различных
    типов модулей памяти. Детальная информация содержится в .

    Заключение

    В статье рассмотрена одна из уязвимостей, которая может быть использована
    вредоносными программами для выведения из строя оборудования, в частности
    модулей памяти. Материал будет полезен при оценке степени защищенности систем и
    выработке методов ее повышения. Для разбирающихся в схемотехнике и умеющих
    держать в руках паяльник приведенных сведений будет вполне достаточно для
    выполнения ремонта модулей DIMM у которых искажена информация SPD, а также
    реализации программатора микросхем Serial Flash ROM на базе обычной материнской
    платы.

    Прилагаемые программы также будут полезны оверклокерам, для которых
    редактирование содержимого SPD открывает новые возможности по «разгону» памяти,
    так как набор параметров, которыми можно управлять, изменяя содержимое SPD,
    существенно шире, чем набор опций BIOS Setup. Разумеется, действовать нужно
    очень осторожно, заранее продумав пути восстановления работоспособности системы,
    так как при записи некорректных параметров в SPD, обнуление CMOS уже не поможет.

    Еще один вариант применения указанной технологии – хранение в неиспользуемой
    области SPD «ключей», обеспечивающих, например, распознавание заданного
    компьютера для защиты программ от несанкционированного копирования.

    Источники информации


    developer.intel.com .

    1) Intel 82371AB PCI-TO-ISA / IDE XCELERATOR (PIIX4) Datasheet. Order Number
    290562-001.
    2) Intel 82801DB I/O Controller Hub 4 (ICh5) Datasheet. Document Number
    290744-001.
    3) Intel I/O Controller Hub 6 (ICH6) Family Datasheet. Document Number
    301473-001.

    Электронные документы, доступные на сайте


    developer.amd.com .

    4) AMD-8111 HyperTransport I/O Hub Data Sheet. Publication # 24674.

    Электронные документы, доступные на сайте


    datasheetarchive. com .

    (Информация на данном сайте более полная, чем на «родных» сайтах
    производителей указанных микросхем.)

    5) VIA VT82C586B PIPC PCI Integrated Peripheral Controller. Для поиска
    документа набирать строку «VT82C586B».
    6) VIA VT82C686A South Bridge Datasheet. Revision 1.54. Для поиска документа
    набирать строку «VT82C686».
    7) VIA VT82C686B South Bridge Datasheet. Revision 1.71. Для поиска документа
    набирать строку «VT82C686».

    Электронные документы, доступные на сайте


    pcisig.com .

    Документы , на сайте pcisig.com доступны только для членов PCI
    Special Interest Group. Воспользовавшись поисковыми системами, можно найти
    данные документы для свободной загрузки.

    8) PCI BIOS Specification. Revision 2.1.
    9) PCI Local Bus Specification. Revision 3.0.
    10) PCI-to-PCI Bridge Architecture Specification. Revision 1.1.

    Электронные документы, доступные на сайте


    smbus.org .

    11) System Management Bus (SMBus) Specification. Version 2.0.

    Электронные документы, доступные на сайте

    semiconductors.philips.com .

    12) The I2C-Bus Specification. Version 2.1.

    Электронные документы, доступные на сайте


    atmel.com .

    13) AT24C01A/02/04/08/16 2-Wire Serial CMOS E2PROM Data Sheet.

    Электронные документы, доступные на сайте


    jedec.org .

    14) JEDEC Standard No. 21-C. Page 4.1.2.5-1. Appendix E: Specific PD’s for
    Synchronous DRAM (SDRAM).
    15) JEDEC Standard No. 21-C. Page 4.1.2.4-1. Appendix D: DDR Synchronous DRAM
    (DDR SDRAM). 16) JEDEC Standard No. 21-C Page 4.1.2.10-1. Appendix X: Serial
    Presence Detects for DDR2 SDRAM (Revision 1.2).
    17) JEDEC Standard No. 21-C. Page 4.1.2.11-1. Appendix K: Serial Presence Detect
    (SPD) for DDR3 SDRAM Modules. SPD Revision 1.0.
    18) DDR2 FB-DIMM SPD 1.0. Appendix X: Serial Presence Detect (SPD) for Fully
    Buffered DIMM (Revision 1.0).
    19) JEDEC Standard No. 21-C. Page 4.5.4-1. 168-pin Unbuffered SDRAM DIMM family.
    20) JEDEC Standard No. 21-C. Page 4.5.10-1. 184-pin Unbuffered DDR SDRAM DIMM
    family.
    21) JEDEC Standard No. 21-C. Page 4.5.14-1. 240-pin Unbuffered and Registered
    DDR2 SDRAM DIMM family.
    22) JEDEC Standard No. 21-C. Page 4.20.19-1. 240-pin
    PC3-6400/PC3-8500/PC3-10600/PC3-12800 DDR3 SDRAM Unbuffered DIMM Design
    Specification.

    Книги

    23) В.Л. Григорьев. Микропроцессор i486. Архитектура и программирование.
    Москва ТОО «ГРАНАЛ» 1993.
    24) В.Г. Артюхов, А.А. Будняк. В.Ю. Лапий. С.М. Молявко, А.И. Петренко.
    Проектирование микропроцессорной электронно-вычислительной аппаратуры.
    Справочник. Киев «Тэхника» 1988.
    25) К. Г. Самофалов, О.В. Викторов. Микропроцессоры. Библиотека инженера. Киев
    «Тэхника» 1989.
    26) 2B ProGroup: В.А. Вегнер, А.Ю. Крутяков, В.В. Серегин, В.А. Сидоров, А.В.
    Спесивцев. Аппаратура персональных компьютеров и ее программирование. IBM
    PC/XT/AT и PS/2. Москва «Радио и связь» 1995.

    Данная вкладка описывает данные SPD — механизма, служащего для определения наличия и характеристик модулей памяти. Расшифровывается как serial presence detect , последовательное определения наличия. Слово последовательное указывает на тип используемой при этом шины, I2C — она как раз последовательная. Шина I2C включена в состав SMBus , разработанной Intel, потому если отключить в CPU-Z определение устройств на шине SMBus, то данные о SPD отображаться не будут. Если посмотреть на модуль памяти, то можно увидеть маленькую микросхему, отличную от чипов памяти, которая имеет восемь ног. Вот это и есть так называемая микросхема SPD. По сути же это обычная «флешка» — чип флеш-памяти по типу тех, что хранят в себе BIOS материнской платы и видеокарт (и другой разной периферии).

    Почти все материнские платы выставляют тайминги и частоты исходя из данных SPD, поэтому ошибки в этих данных могут привести к тому, что система не сможет стартовать. Особенно часто проблемы возникают с модулями, рассчитанными на энтузиастов. Иногда частоты и тайминги, зашитые в SPD предназначены для использования на повышенном напряжении, что приводит к невозможности загрузиться на стандартном напряжении и нужно найти обычный модуль, выставить в BIOS нужное напряжение и уже тогда воткнуть исходные модули. Такая проблема была, как минимум, у Corsair. Другой пример — когда производитель пишет на наклейке частоты и тайминги и напряжение, при которых память можно эксплуатировать, но для того, чтобы загрузиться, прописывает в SPD безопасные частоты, сильно завышенные, или же завышенные тайминги. И тогда у новичков появляются вопросы, мол, почему купил память DDR2-1066, а она определяется как DDR2-800?

    И теперь, собственно, данные, что мы можем видеть на данной вкладке. Первая группа, Memory Slot Selection :

    • поле со списком для выбора модуля. Позволяет выбрать модуль памяти, для которого отображается информация SPD.
    • справа находится поле с названием типа памяти, в нашем случае — DDR2 .
    • Module Size — объём модуля в мегабайтах.
    • Max. Bandwith — максимальная пропускная способность. В данном случае, PC2 означает память DDR2, а число после этого означает максимальную пропускную способность в мегабайтах. В скобках подписана реальная частота шины DDR. Считается пропускная способность по формуле: Freq * 64 * 2 / 8, где 64 — ширина шины памяти в битах (у всех модулей SDRAM она равна 64 битам), 2 — означает технологию DDR, которая удваивает пропускную способность, а деление на 8 переводит биты в байты (в 1 байте 8 бит). Так, для DDR2-800 с реальной частотой 400МГц мы получим: 400*64*2/8=6400МБ/с , что и показывает CPU-Z.
    • Manufacturer — название производителя модуля памяти. Обычно не заполняется Noname (безымянными) производителями.
    • Part Number — номер партии. Аналогично, не заполняется Noname .
    • Serial Number — серийный номер модуля. Безымянные производители шьют одну прошивку, потому понятие серийности вообще не существует.
    • Correction — наличие у модуля коррекции ошибок. На обычной памяти не встречается, а отличить такой модуль легко по «лишнему» чипу памяти. Если у обычного модуля на одной стороне 4 или 8 чипов, то у такого — 5 или 9. Находится посередине. На некоторых модулях можно увидеть место на плате под этот чип.
    • Registered — наличие регистровой памяти. Энтузиастам интереса не представляет.
    • Buffered — наличие буферизованной памяти.Опять же, энтузиастам интереса не представляет.
    • SPD Ext. — наличие расширений SPD. SPD разрабатывается организацией JEDEC , занимающейся принятием стандартов в области памяти. Но компания NVIDIA предложила неиспользуемые стандартом байты (а их немало) задействовать для скоростных профилей, где не только будут прописывать основные и дополнительные тайминги, но и напряжение. Свой стандарт она назвала EPP — enhanced performance profile (профиль улучшенной производительности). Вслед за ней Intel добавила в свои чипсеты поддержку аналогичных профилей с названием XMP — extreme memory profile (экстремальный профиль памяти). Сделаны профили для новичков, которые не могут сами разогнать и выставить нужные настройки, потому энтузиастам они не рекомендуются. Модуль памяти поддерживает либо EPP, либо XMP, но дело тут не столько в том, что оба алгоритма используют смежные байты. Основная причина — конечно, политическая. Память должна получить благословение либо одной компании, либо другой, чтобы провозгласить поддержку профиля. Сделать поддержку обоих технически возможно, но одобрено это, конечно, не будет.
    • Week/Year — неделя и год выпуска.

    Следующая группа — Timings Table — таблица таймингов для разных частот. Подписи столбцов обозначают номер таблицы, созданной по стандарту JEDEC , либо же профиль EPP/XMP , если таковой имеется.

    • Frequency — частота памяти. Как говорилось, может отличаться от написанной на этикетке, что обычно является нормальным явлением, если память может работать на заявленной производителем частоте.
    • CAS# Latency — минимальное время между подачей команды на чтение (CAS# ) и началом передачи данных (задержка чтения).
    • RAS# to CAS# — время, необходимое для активации строки банка, или минимальное время между подачей сигнала на выбор строки (RAS#) и сигнала на выбор столбца (CAS# ).
    • RAS# Precharge — время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка.
    • tRAS — минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (её открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки).
    • tRC — минимальное время между активацией строк одного банка. Является комбинацией таймингов tRAS +tRP — минимального времени активности строки и времени её закрытия (после чего можно открывать новую).
    • Command Rate — время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. Иначе, минимальное время между подачей двух команд. Используется только в расширенных профилях.
    • Voltage — используемое напряжение. JEDEC использует только стандартное значение, потому отличаться это поле будет только в расширенных профилях.

    Вопросы

    Какие ограничения по объему памяти накладывают современные операционные системы семейства Windows?

    Устаревшие, но кое-где еще встречающиеся, операционные системы Windows 9x/ME умеют работать только с 512 Мб памяти. И хотя конфигурации с большим объемом для них вполне возможны, проблем при этом возникает гораздо больше, чем пользы. Современные 32-разрядные версии Windows 2000/2003/XP и Vista теоретически поддерживают до 4 Гб памяти, но реально доступно для приложений не более 2 Гб. За небольшим исключением — ОС начального уровня Windows XP Starter Edition и Windows Vista Starter способны работать не более чем с 256 Мб и 1 Гб памяти соответственно. Максимальный поддерживаемый объем 64-разрядной Windows Vista зависит от ее версии и составляет:

    • Home Basic — 8 Гб;
    • Home Premium — 16 Гб;
    • Ultimate — Более 128 Гб;
    • Business — Более 128 Гб;
    • Enterprise — Более 128 Гб.

    Что такое память DDR SDRAM?

    Память типа DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) обеспечивает передачу данных по шине «память-чипсет» дважды за такт, по обоим фронтам тактирующего сигнала. Таким образом, при работе системной шины и памяти на одной и той же тактовой частоте, пропускная способность шины памяти оказывается вдвое больше, чем у обычной SDRAM.

    В обозначении модулей памяти DDR обычно используются два параметра: или рабочую частоту (равную удвоенному значению тактовой частоты) — например, тактовая частота памяти DR-400 равна 200 МГц; или пиковую пропускную способность (в Мб/с). У той же самой DR-400 пропускная способность приблизительно равна 3200 Мб/с, поэтому она может обозначаться как РС3200. В настоящее время память DDR потеряла свою актуальность и в новых системах практически полностью вытеснена более современной DDR2. тем не менее, для поддержания «на плаву» большого количества старых компьютеров, в которые установлена память DDR, выпуск ее все еще продолжается. Наиболее распространены 184-контактные модули DDR стандартов PC3200 и, в меньшей мере, PC2700. DDR SDRAM может иметь Registered и ECC варианты.

    Что такое память DDR2?

    Память DDR2 является наследницей DDR и в настоящее время является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR2 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, характеризуется меньшим энергопотреблением, а также набором новых функций (предвыборка 4 бита за такт, встроенная терминация). Кроме того, в отличие от чипов DDR, которые выпускались как в корпусах типа TSOP, так и FBGA, чипы DDR2 выпускаются только в корпусах FBGA (что обеспечивает им большую стабильность работы на высоких частотах). Модули память DDR и DDR2 не совместимы друг с другом не только электрически, но и механически: для DDR2 используются 240-контактные планки, тогда как для DDR — 184-контактные. Сегодня наиболее распространена память, работающая на частоте 333 МГц и 400 МГц, и обозначаемая как DDR2-667 (РС2-5400/5300) и DDR2-800 (РС2-6400) соответственно.

    Что такое память DDR3?

    Ответ: Память стандарта DDR третьего поколения — DDR3 SDRAM в скором времени должна заменить нынешнюю DDR2. Производительность новой памяти удвоилась по сравнению с предыдущей: теперь каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту. Теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц — 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц — 800 МГц), таким образом, маркировка DDR3 в зависимости от скорости будет: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600. Среди основных преимуществ нового стандарта, прежде всего, стоит отметить существенно меньшее энергопотребление (напряжение питания DDR3 — 1,5 В, DDR2 — 1,8 В, DDR — 2,5 В).

    Что такое SLI-Ready-память?

    Ответ: SLI-Ready-память, иначе — память с EPP (Enhanced Performance Profiles — профили для увеличения производительности), создана силами маркетинговых отделов компаний NVIDIA и Corsair. Профили EPP, в которых, помимо стандартных таймингов памяти, «прописываются» еще и значение оптимального напряжения питания модулей, а также некоторые дополнительные параметры, записываются в микросхему SPD модуля.

    Благодаря профилям EPP уменьшается трудоемкость самостоятельной оптимизации работы подсистемы памяти, хотя существенного влияния на производительность системы «дополнительные» тайминги не оказывают. Так что какого-либо значительного выигрыша от использования SLI-Ready-памяти, по сравнению с обычной памятью, оптимизированной вручную, нет.

    Что такое ECC-память?

    ECC (Error Correct Code — выявление и исправление ошибок) служит для исправления случайных ошибок памяти, вызываемых различными внешними факторами, и представляет собой усовершенствованный вариант системы «контроля четности». Физически ECC реализуется в виде дополнительной 8-разрядной микросхемы памяти, установленной рядом с основными. Таким образом, модули с ECC являются 72- разрядным (в отличие от стандартных 64-разрядых модулей). Некоторые типы памяти (Registered, Full Buffered) выпускаются только в ECC варианте.

    Что такое Registered-память?

    Registered (регистровые) модули памяти применяются в основном в серверах, работающих с большими объемами оперативной памяти. Все они имеют ЕСС, т.е. являются 72-битными и, кроме того, содержат дополнительные микросхемы регистров для частичной (или полной — такие модули называются Full Buffered, или FB-DIMM) буферизации данных, за счет чего уменьшается нагрузка на контроллер памяти. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с не буферизованными.

    Можно ли вместо обычной памяти использовать Registered и наоборот?

    Несмотря на физическую совместимость разъемов, обычная не буферизованная память и Registered-память не совместимы друг с другом и, соответственно, использование Registered-памяти вместо обычной и наоборот невозможно.

    Что такое SPD?

    На любом модуле памяти DIMM присутствует небольшой чип SPD (Serial Presence Detect), в котором производителем записывается информация о рабочих частотах и соответствующих задержках чипов памяти, необходимые для обеспечения нормальной работы модуля. Информация из SPD считывается BIOS на этапе самотестирования компьютера еще до загрузки операционной системы и позволяет автоматически оптимизировать параметры доступа к памяти.

    Могут ли совместно работать модули памяти разного частотного номинала?

    Принципиальных ограничений на работу модулей памяти разного частотного номинала нет. В этом случае (при автоматической настройки памяти по данным из SPD) скорость работы всей подсистемы памяти будет определяться скоростью наиболее медленного модуля.

    Да, можно. Высокая штатная тактовая частота модуля памяти никак не сказывается на ее способности работать на меньших тактовых частотах, более того, благодаря низким таймингам, которые достижимы на пониженных рабочих частотах модуля, латентность памяти уменьшается (иногда — существенно).

    Сколько и какие модули памяти надо установить в системную плату, что бы память заработала в двухканальном режиме?

    В общем случае для организации работы памяти в двухканальном режиме необходима установка четного числа модулей памяти (2 или 4), причем в парах модули должны быть одинакового объема, и, желательно (хотя и не обязательно) — из одной и той же партии (или, на худой конец, одного и того же производителя). В современных системных платах слоты памяти разных каналов маркируются различными цветами.

    Последовательность установки модулей памяти в них, а также все нюансы работы данной платы с различными модулями памяти, обычно подробно излагаются в руководстве к системной плате.

    На память каких производителей стоит обратить внимание в первую очередь?

    Можно отметить нескольких производителей памяти, достойно зарекомендовавших себя на нашем рынке. Это будут, например, брэнд-модули OCZ, Kingston, Corsair, Patriot, Samsung, Transcend.

    Конечно, этот список далеко не полон, однако покупая память этих производителей, можно быть уверенным в ее качестве с большой долей вероятности.


    Оперативная память — Настройка BIOS

    Оперативная память (Random Access Memory, RAM, системная память) – это энергозависимая компьютерная память, которая предназначена для временного хранения активных программ и данных, используемых процессором во время выполнения операций. По сути, оперативная память является временным хранилищем информации, поскольку программы и данные хранятся в ней, если компьютер включен.

     

    Сегодня наиболее распространенна синхронная оперативная память с произвольным доступом SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory). На данный момент используются ее спецификации DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

     

    Технически оперативная память реализована в виде модулей.

    Модуль оперативной памяти (ОЗУ – оперативное запоминающее устройство) – это печатная плата с контактами, на которой расположены чипы оперативной памяти, объединенные в единую логическую схему.

     

    Поскольку запоминающим элементом динамической оперативной памяти является конденсатор, его необходимо время от времени подзаряжать (обновлять содержимое ячеек), чтобы избежать потери информации (данных). Этот процесс называется регенерацией. Регенерация – процесс восстановление заряда ячеек динамической памяти. При регенерации данные ячеек памяти считываются в буферный усилитель, а потом записываются обратно. Процессом регенерации управляет специальный контроллер, который может быть установлен на системной плате или на кристалле процессора. В случае обращения к ячейке оперативной памяти процесс регенерации выполняется автоматически.

     

    Модули оперативной памяти имеют встроенную микросхему SPD (Serial Presence Detect). Микросхема SPD – это специальная микросхема, в которой хранятся данные о параметрах модуля оперативной памяти (ёмкость, тип, временные характеристики, рабочее напряжение, число банков, серийный номер модуля, дату изготовления модуля). Во время включения компьютера BIOS настраивает параметры работы системной памяти, согласно информации, отображенной в микросхеме SPD.

     

    Контроллер памяти может быть интегрирован в северный мост или в процессор.

     

    Для обмена информацией с другими устройствами, оперативная память задействует три шины:

    • Адресная шина. Данная шина предназначена для передачи адреса ячейки, к которой обращается контроллер;
    • Шина данных. Предназначена для непосредственной передачи данных;
    • Командная шина. По командной шине из системной памяти поступают команды, выполняемые процессором.

     

    Логически оперативная память разбивается на четное количество банков, которые состоят из страниц. Банки оперативной памяти могут работать независимо. Страница оперативной памяти реализована у виде матриц. Матрица состоит из отдельных ячеек памяти, способных вмещать один бит данных – элементарную единицу информации. Ячейка состоит из конденсатора и транзистора. Каждая ячейка имеет координаты: по вертикали (столбцы-Column) и горизонтали (Row-строки).

     

    Доступ к ячейкам памяти осуществляется с помощью указания адреса строки (с помощью сигнала выбора строки RAS# (Row Access Strobe)) и адреса столбца (с помощью сигнала выбора столбца CAS# (Column Access Strobe)).

    CAS (Column Access Strobe) – это сигнал выборки столбца матрицы данных. Появление сигнала CAS означает, что будет вводиться адрес столбца матрицы данных.

    RAS (Row Access Strobe) – это сигнал выборки строки матрицы данных. Появление сигнала RAS означает, что будет вводиться адрес строки матрицы данных.

     

    Обращение к ячейке оперативной памяти происходит следующим образом:

    • На адресную шину микросхемы оперативной памяти подается номер строки, вследствие чего активизируется сигнал выбора строки RAS#;
    • После стабилизации сигнала выбора строки RAS#, содержимое строки перемещается в буферный усилитель уровня;
    • На адресную шину микросхемы оперативной памяти подается номер столбца, вследствие чего активизируется сигнал выбора столбца CAS#.
    • После стабилизации сигнала выбора столбца CAS#, модуль оперативной памяти может определить адрес ячейки (по номеру столбца и строки в матрице). Выполняется перемещение содержимого ячейки оперативной памяти на шину данных, которая используется для непосредственной передачи данных;
    • Сигнал CAS# дезактивируется, что сигнализирует о завершении операций чтения/записи;
    • Сигнал RAS# дезактивируется, что сигнализирует о прекращении работы со строкой матрицы данных модуля оперативной памяти. Данные из буферного усилителя уровня возвращаются в массив ячеек строки, восстанавливая его прежнее логическое состояние. Этот процесс называется предварительным зарядом по сигналу RAS#.

     

    Параметром, который наиболее влияет на работу оперативной памяти, является рабочая частота памяти (эффективная частота обмена данными).

     

    Эффективная частота обмена данными памяти типа DDR SDRAM может составлять 200/266/333/400 МГц (при тактовых частотах шины памяти 100/133/166/200МГц соответственно).

     

    Эффективная частота обмена данными памяти типа DDR2 SDRAM может составлять 400/533/667/800/1066 МГц (при тактовых частотах шины памяти 200/266/333/400/533МГц соответственно).

     

    Эффективная частота обмена данными памяти типа DDR3 SDRAM может составлять 800/1066/1333/1600/1800/2000/2133/2200/2400Мгц (при тактовых частотах шины памяти 400/533/667/800/1800/1000/1066/1100/1200 МГц соответственно).

     

    Работа оперативной памяти сопровождается таймингами. Тайминги – это временные задержки, которые возникают при любых операциях с ячейками оперативной памяти. Единицей измерения таймингов является такт. Чем меньше величина таймингов, тем оперативная память более быстродействующая.

     

    Рассмотрим тайминги, которые в наибольшей мере влияют на производительность оперативной памяти.

    CAS# Latency (tCL) – это задержка сигнала CAS# (задержка чтения). Один из наиболее важных таймингов. Задержка между подачей команды чтения (отправкой в память адреса столбца) и началом передачи данных. Другими словами, CAS# Latency – это время от открытия строки до чтения первого бита из памяти.

    RAS#-to-CAS# Delay (tRCD) – это задержка между вводом номера (адреса) строки и столбца. Другими словами, tRCD – это временной интервал между подачей команд RAS и CAS.

    RAS# Precharge Time (tRP) – это время предварительного заряда банка. Другими словами, tRP – время, необходимое на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

    Row Active Time, (tRAS) – это время между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд банка. Другими словами, tRAS это время, на протяжении которого банк системной памяти не требует перезарядки (т.е.остается открытым).

    Command Rate 1/2T (tCR) – это минимальное время, которое необходимое контроллеру для декодирования команд и адресов.

     

    Тайминги записывают в виде: «3-3-3-3-3», где первым идет тайминг CAS# Latency, вторым – RAS#-to-CAS# Delay, третьим – RAS# Precharge Time, четвертым – Row Active Time, пятым – Command Rate 1/2T.

     

    Оперативная память может работать в одноканальном и двуканальном режиме.

    Dual Channel – это двухканальный режим работы оперативной памяти. Особенностью данного режима есть то, что модули оперативной памяти объединены в пары (первый модуль с третьим, а второй с четвертым). Каждая пара модулей работает на своем канале (отсюда и прирост производительности). Использование двухканального режима работы оперативной памяти возможно только при наличии чётного числа модулей памяти.

    Single Channel – это одноканальный режим работы оперативной памяти. Особенностью данного режима есть то, что модули оперативной памяти обслуживаются одновременно одним контроллером (работают на одном канале).

     

    Опции BIOS Setup для настройки оперативной памяти можно найти здесь.


    Еще по настройке БИОС (БИОЗ) плат:

    • PCI Express, (или PCIe, или PCI-E) – это компьютерная шина расшир…

    • PCI (Peripheral Component Interconnect) – это компьютерная шина в…

    • FSB (Front Side Bus, системная шина) – это шина (набор сигнальных…

    • Чипсет (chipset) – это набор микросхем (размещенных на системной . ..

    • Центральный процессор (ЦП, CPU) – это микросхема, которая явля…

    Системная память для системной платы Intel® DX38BT

    Решающее значение * CT6464AA 667.4 СФБЕмкость10667-7-7Без кода коррекции ошибокSSx160728Мкм * MT41J64M16LA
    Решающее CT6464BA 1339.4 СФДЕмкость13339-9-9Без кода коррекции ошибокSSx160748Мкм MT41J64M16LA
    ЕЛПИДА * EBJ51UD8BAFA-РАССЫЛКИ-E512 МБ13338-8-8Без кода коррекции ошибокSSx80702Елпида J5308BASE-рассылки-E
    2 модуля Hynix * HYMT125U64ZNF8-G7-AA2 ГБ10667-7-7Без кода коррекции ошибокDSx807122 модуля Hynix HY5TQ1G831ZNFP — G7
    2 модуля Hynix HYMT125U64ZNF8-S5-AA2 ГБ8005-5-5Без кода коррекции ошибокDSx807122 модуля Hynix HY5TQ1G831ZNFP-S5
    Kingston * KVR1066D3N7/1 ГБ1 ГБ10667-7-7Без кода коррекции ошибокDSx80740КИМОНДА * IDSH51-03A1F1C-10F
    Kingston KVR1333D3N9/1 ГБ1 ГБ13339-9-9Без кода коррекции ошибокDSx80744КИМОНДА IDSH51-03A1F1C-13H — A1
    Kingston KVR1333D3N9/512512 МБ13339-9-9Без кода коррекции ошибокSSx80744КИМОНДА IDSH51-03A1F1C-13H — A1
    Kingston KVR1066D3N7/512512 МБ10667-7-7Без кода коррекции ошибокSSx80731Елпида J5308BASE-AE-E S
    Мкм MT8JTF12864AY — 1G1BZES1 ГБ10667-7-7Без кода коррекции ошибокSSx80714Мкм 7GBI2 — Z9HWQ
    Мкм MT8JTF12864AY — 80BBYES1 ГБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокSSx80726Мкм 7LBI2 — D9GTR
    Мкм MT16JTF25664AY — 1G1BZES2 ГБ10667-7-7Без кода коррекции ошибокDSx80714Мкм 7GBI2 — Z9HWQ
    Мкм MT16JTF25664AY — 1G4BYES2 ГБ13339-9-9Без кода коррекции ошибокDSx80740Мкм 7TBI2 — D9GTS
    Мкм MT16JTF25664AY — 80BBYES2 ГБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокDSx80729Мкм 7NBI2 — D9GTN
    Мкм MT4JTF6464AY — 1G1BZES512 МБ10667-7-7Без кода коррекции ошибокSSx160715Мкм 7GBI2 — Z9HXV
    Мкм MT4JTF6464AY — 80BBYES512 МБ8006-6-6Без кода коррекции ошибокSSx160721Мкм 7JBI2 — Z9HXN
    Мкм MT4JTF6464AY — 1G1B1Емкость10667-7-7Без кода коррекции ошибокSSx160728Мкм MT41J64M16LA
    Мкм MT4JTF6464AY — 1G4B1Емкость13339-9-9Без кода коррекции ошибокSSx160748Мкм MT41J64M16LA
    КИМОНДА IMSh2GE13A1F1C-13H1 ГБ13339-9-9Без кода коррекции ошибокDSx80710КИМОНДА IDSH51-03A1F1C-13H — A
    КИМОНДА IMSh2GU13A1F1C-13H1 ГБ13339-9-9Без кода коррекции ошибокDSx80727КИМОНДА IDSH51-03A1F1C-13H — A1
    КИМОНДА IMSH51U03A1F1C-13H512 МБ13339-9-9Без кода коррекции ошибокSSx80712КИМОНДА IDSH51-03A1F1C-13H — A1

    Стандарт пам’яті DDR5: Знайомство із модулями DRAM-пам’яті наступного покоління

    Скорость передачи данных (скорость в MT/s) 4000, 4400, 4800, 5200, 5600, 6000, 6400 MT/s
    Плотность интегральной микросхемы DRAM (Гбит) 8 Гбит, 16 Гбит, 24 Гбит, 32 Гбит, 48 Гбит, 64 Гбит
    Тип и формат пакетов (x4, x8 / x16) BGA, 3DS TSV (78, 82 / 102)
    Интерфейс
    Напряжение (VDD / VDDQ / VPP) 1,1 / 1,1 / 1,8 В
    Внутреннее напряжение VREF VREFDQ, VREFCA, VREFCS
    Команда/адрес POD (Pseudo Open Drain)
    Компенсация DFE (Dynamic Feedback Equalization)
    Длина пакета импульсов BL16 / BC8 / BL32 (опция)
    Базовая архитектура
    Количество банков памяти 32 банка (группы по 8 банков)
    8 Гбит x 4 банка (16–64 Гбит x4/x8)
    8 Гбит x 2 банка (8 Гбит x4/x8)

    16 банков (группы по 4 банка)
    4 Гбит x 4 банка (16–64 Гбит x16)
    4 Гбит x 2 банка (8 Гбит x16)

    Размер пакета (x4 / x8 / x16) 1 КБ / 1 КБ / 2 КБ
    Предварительная выборка 16n
    DCA (регулировка цикла нагрузки) DQS и DQ
    Внутренний мониторинг задержки DQS Генератор интервалов DQS
    ODECC (On-die ECC) Обнаружение и исправление ошибок 128b+8b SEC
    CRC (циклическая проверка с избыточностью) Чтение/запись
    ODT (On-die Termination) Шина DQ, DQS, DM, CA
    MIR («зеркальный» контакт) Да
    Инверсия шины Инверсия команды/адреса (CAI)
    CA обучение, CS обучение CA обучение, CS обучение
    Выравнивание записи и Режимы обучения Улучшенный
    Шаблоны обучения Чтение Выделенные MR для заданных пользователем шаблонов обучения последовательных операций и тактовой частоты и сгенерированных LFSR шаблонов
    Регистры режима работы До 256 x 8 бит
    Команды PRECHARGE Все банки, отдельные банки и тот же банк памяти
    Команды REFRESH Все банки и тот же банк памяти
    Петлевой режим Да

    Анатомия RAM — устройство оперативной памяти

    Чего в компьютере никогда не бывает много? Оперативной памяти. Конечно, еще один SSD, помощнее процессор – это приятно, но для решения конкретных задач и имеющихся хватает более чем, а вот наличие ОЗУ большей емкости или с большей производительностью могло бы дать заметный эффект. Анатомия RAM — вот о чем сегодня пойдет разговор, рассмотрим устройство, принцип работы, разновидности оперативной памяти.

    Краткая история RAM

    Без оперативной памяти представить компьютер сложно. Да и не нужно. Без этого компонента обойтись нельзя. Все манипуляции с данными производятся в RAM, после чего передаются на накопитель или отправляются в иное устройство. Или наоборот, какая-то инфа извне поступает в компьютер (а именно в RAM), обрабатывается, и передается еще куда-то.

    Даже краткое рассмотрение истории развития RAM – тема отдельного материала. И весьма обширного. Остановлюсь на используемом ныне типе оперативной памяти – DDR.

    Аббревиатура расшифровывается как удвоенная скорость передачи данных (Double Data Rate). В отличие от предыдущей SDR данные передавались по обоим фронтам тактирующего сигнала. Это позволило вдвое повысить пропускную способность по сравнению с SDR, у которой использовался только фронт тактового сигнала.

    Первый коммерческий чип был выпущен в 1998 году компанией Samsung. Спецификацию такой памяти организация JEDEC опубликовала в июне 2000 года, а спустя пару месяцев появилась первая материнская плата с поддержкой DDR. Память работала на частотах от 100 МГц до 200 МГц. Эффективная частота, учитывая использование фронта и спада тактового импульса, составляла от 200 до 400 МГц. Количество контактов разъема равнялось 184. Напряжение питания – 2.5 В.

    В 2004 году свет увидело новое поколение, DDR2. За счет улучшений рабочие частоты лежали в диапазоне 200-600 МГц (эффективные – 300-1 200 МГц). Изменился разъем, у которого стало 240 контактов. Напряжение питания снизилось до 1.8 В.

    Следующее поколение, DDR3, появившееся в 2007 году, вновь удвоило частоту работы (рабочая от 400 МГц до 1 200 МГц, эффективная – 800-2 400 МГц). Количество контактов не изменилось, но сам разъем несовместим с DDR2. Напряжение снижено до 1.5 В. Позже выпущена модификация с пониженным напряжением питания, равным 1.35 В. Такие модули помечались как DDR3L.

    В 2014 году вышло актуальное на сегодняшний день поколение DDR4. Привычно удвоились частоты (800-1 600 МГц рабочая частота и 1 600-3 200 МГц эффективная), изменился разъем, в котором стало 288 контактов. Напряжение питания – 1.2 В.

    В конце 2021 или в начале следующего года должна быть представлена память DDR5. Опять удвоится пропускная способность, уменьшится напряжение на 100 мВ, запланированы другие изменения.

    Все поколения памяти несовместимы, т. е. установить DIMM одного поколения в разъем для памяти другого поколения физически невозможно.

    Указанные разъемы, количество контактов справедливо для десктопного форм-фактора DIMM, но параллельно выпускались и компактные модули для ноутбуков.

    Форм-фактор RAM

    Если не учитывать чипы памяти, которые по тем или иным причинам распаяны на материнских платах (например, в некоторых ноутбуках), установлены на платах видеокарт, накопителей или иных устройств, то форм-факторов модулей RAM два:

    • PC DIMM
    • SO-DIMM (Small Outline DIMM)

    Первый используется в десктопных ПК, в серверах. Второй предназначен для ноутбуков, компактных материнских плат (например, Asus PRO h510T/CSM), неттопов (Gigabyte GB-BR) и прочих специализированных устройств.

    Хотя размер плат модулей памяти фактически не изменялся у разных поколений, они несовместимы, т. е. установить, например, планrу DDR4 в слот DDR3 невозможно. Почему? Во-первых, физически, различается количество контактов, расположение «ключа» разъема. Во-вторых… Впрочем, достаточно и первого.

    Причем, не только между поколениями существуют различия. DDR3 также делится на два типа, «просто» DDR3 и DDR3L. У первой напряжение питания 1.5 В, у второй – 1.35 В, и ставить вместо одной другую не стоит.

    Чипы DRAM устанавливаются и в некоторые другие устройства, например, SSD среднего и высокого класса. А видеокарты без них вообще обойтись не могут. Объем памяти в 8, 12, 16, а то и больше гигабайт – обычное дело. Отличия только в типе памяти, в основном это GDDR6(X), и в том, что изменить объем видеопамяти нельзя в силу того, что микросхемы DRAM распаяны на платах.

    Посему, о форм-факторе можно говорить только применительно к материнским платам, какие бы они ни были – серверные, для настольных ПК, ноутбучные или для встраиваемых устройств.

    Устройство RAM

    В основе современной DRAM лежит ячейка, выполненная по схеме 1T1C, т. е. один транзистор (Transistor) и один конденсатор (Capacitor). Схема такой ячейки приведена на иллюстрации ниже.

    Если на обкладках конденсатора есть заряд, то при обращении к транзистору ячейки напряжение на нем говорит нам, что в ячейке хранится логическая «1». Если же конденсатор разряжен, то напряжение будет равным нулю и, соответственно, ячейка содержит «0».

    Ячейки объединены в большие двумерные массивы, или матрицы, а доступ к каждой конкретной ячейке осуществляется при помощи двух шин – строки и столбца.

    Выбранная строка ячеек называется страницей, а n-е количество страниц объединены в банки памяти. Каждая страница подключена к системе адресации строк и столбцов. Чип может содержать несколько таких банков – 4, 8 или более.

    При чтении на линии выбора столбцов (битовая линия) подается половинное напряжение питания. Предположим, что оно равно 1.2 В, значит, на шинах выбора столбцов будет 0.6 В. Питание подается на короткое время, после чего линия отключается от общего провода («земли»). Каждая линия обладает определенной емкостью, т. е. фактически представляет собой конденсатор. Напряжение на линиях строк при этом равно нулю, управляющие транзисторы ячеек закрыты.

    В действительности, у каждого столбца есть не одна, а пара линий шины строк, которые называются «+» и «-», или четные и нечетные. Между этими парами линий перекрестно установлены инверторы, выполняющие роль усилителей. На обеих линиях устанавливается одинаковое напряжение, т. е. те самые 0.6 В.

    Теперь контроллер памяти выдает адрес строки и на нужную строку подается высокое напряжение. Транзисторы открываются и происходит считывание из всех ячеек этой строки в блоке памяти. Физически это означает, что транзисторы каждой ячейки строки открываются, и через них начинает идти ток. Если конденсатор ячейки хранил заряд (логическая «1») то ток течет из конденсатора в одну из двух битовых линий. Если конденсатор был разряжен («логический «0»), то в обратную сторону.

    На одной из битовых линий напряжение немного увеличивается, в то время как на другой остается прежним — 0.6 В. Положительная обратная связь перекрестных инверторов приводит к тому, что на одной из двух битовых линий напряжение увеличивается, а на другой соответственно уменьшается до тех пор, пока одна линия не достигнет, условно, напряжения в 1.2 В, а на другой будет 0 В.

    И все бы хорошо, но не обходится без проблем. Сама по себе ячейка, представляющая собой пару транзистор-конденсатор, разового действия и короткоживущая. Не в физическом смысле, а в плане хранения данных. Объясню, что это значит.

    Процесс считывания информации из ячейки является деструктивным, т. е. разряжает конденсатор, а это приводит к искажению информации (считали значение – разрядили конденсатор, одноразовое действие). Поэтому, если не принять срочных мер, после считывания информации из ячейки там окажется логический «0», даже если до этого была единица. А ведь мы просто читали из ячейки и ничего менять не собирались.

    Такой «срочной мерой» является обновление информации в ячейке, т. е. фактически происходит перезапись ее. Занимается этим сам чип RAM под управлением контроллера. Как это происходит?

    В зависимости от того, на какой битовой линии увеличивалось напряжение, происходит подзарядка конденсатора ячейки, в которой хранилась «1», или наоборот, разрядка его, чтобы считывался «0». Выбранная ячейка подключается к шине данных и значение передается контроллеру памяти.

    Проблемам видимо скучно приходить в одиночку, и помимо разряда конденсатора при чтении есть еще одна неприятность – конденсатор разряжается как сам по себе (саморазряд), так и за счет утечки в транзисторе между стоком и подложкой.

    Чтобы компенсировать это, требуется регенерация памяти. Выполняется она регулярно через определенный интервал времени, например, каждые 64 мс или чаще. Во время регенерации обслуживаемые строки памяти недоступны, т. е. никакие операции чтения/записи производить нельзя.

    Выполняться эта операция может по-разному. В некоторых системах все строки банков памяти обновляются одновременно. Может использоваться и метод последовательной регенерации строк.

    Думаю, достаточно про устройства DRAM, ибо эта тема весьма обширная, и в механизмы работы ячеек, страниц и проч. можно погружаться долго. Важно то, что оперативная память – это не просто полка, куда что-то положили, и оно там лежит, пока не понадобится. В смысле, оно там конечно лежит, но не скучает, а в тайне от нас участвует во множестве процессов, чтобы мы нашли положенное в том же месте целым и невредимым.

    Ранг

    Обратимся к характеристикам материнской платы. Для примера возьмем MSI MAG B550 TOMAHAWK. В разделе, посвященном памяти, в частности, видим такие строчки:

    • 1DPC 1R Max speed up to 5100 MHz
    • 1DPC 2R Max speed up to 3866 MHz
    • 2DPC 1R Max speed up to 4000 MHz
    • 2DPC 2R Max speed up to 3600 MHz

    Ладно, с «MHz» понятно, а «1DPC», «1R» — что все это значит? На самом деле несложно:

    • DPC – DIMM(s) Per Channel, т. е. количество модулей памяти в каждом канале. Соответственно, 1DPC означает по одному DIMM в каждом канале, 2DPC – по два.
    • 1R или 2R — Single rank или Dual rank, т. е. ранг модуля памяти — одноранговая она или двухранговая.

    И вот о ранге (или ранке, обзывайте как нравится) чуть подробнее. Процессор имеет 64-битную шину данных каждого канала контроллера. Речь про «гражданские» CPU для десктопов. В то же время каждый чип DRAM 8-битный. Чтобы использовать все возможности процессорного контроллера памяти, каждый модуль RAM имеет как минимум 8 чипов DRAM.

    Кстати, узнать размер шины можно в командной строке OC Windows:

    wmic memorychip get DataWidth,TotalWidth

    Должны отобразиться значения «64, 64», т. е. ширина шины в битах. Если же будет указано значение 72, то значит используется память с ECC, но об этом ниже.

    Учитывая, что технологически оперативная память масштабируется плохо, и новые техпроцессы практически никак не помогают в решении этой задачи, использование нескольких чипов позволяет увеличить объем каждого модуля.

    Распараллеливание работы также позволяет повысить скорость обмена, т. к. в каждую единицу времени имеется доступ только к одному банку данных. Наличие второго, работающего в этот момент в фоновом режиме, дает возможность параллельно готовить к доступу следующий банк.

    Одноранговая память – это, по сути, один набор чипов DRAM, к которым осуществляется доступ контроллером памяти. Двухранговая – два независимых набора, каждый из которых также может адресоваться контроллером. Доступ к каждому набору осуществляется отдельно, их нельзя использовать одновременно.

     


    Как обычно, обратимся к конкретным примерам. Возьмем пару модулей: Kingston KVR29N21S8/16 это одноранговый DIMM, а KVR26N19D8/16, на котором чипы распаяны с обеих сторон печатной платы, двухранговый. При одинаковой емкости в 16 ГБ.

    Есть ли какой-либо профит от двухранговой памяти? Да, кроме возможности получить более емкий DIMM, скажем, в 32 ГБ или больше, есть разница в производительности по сравнению с одноранговыми. Все же параллельность, все дела…

    Однако на многое рассчитывать не стоит. В теории, двухранговые модули действительно могут предоставить больше производительности, но реальность не совсем такова. Прирост чаще всего есть, но от наличия второго набора чипов скорость работы отнюдь не удваивается. Мало того, и 50-процентного увеличения нет. В лучшем случае получите плюс несколько процентов, ну максимум десяток.

    Как правило, с разгоном у двухранговых модулей также не все так хорошо, как у одноранговых. Хотя тут могут быть варианты, модулей памяти большое количество, а комбинаций их с материнскими платами, позволяющими «гнать» компоненты, вообще не сосчитать.

    Думаю, все же не ошибусь, если скажу, что для рекордов оверклокинга надо искать одноранговые модули. А если разгон вам малоинтересен, а вот объем более актуален, то принципиальной разницы нет, сколько там этих рангов. Может даже двухранговые будут работать чуточку быстрее.

    Следует сказать немного про расположение чипов на модуле DIMM. Не следует путать «двухранговый» модуль и «двухсторонний» модуль. Выглядеть они могут одинаково (чипы на обеих сторонах платы), но двухсторонний совсем не обязательно должен быть двухранговым.

     

    Может быть и наоборот. Например, Kingston KF436C18BB/16 – 16-гигабайтный одноранговый модуль, чипы которого распаяны с обеих сторон платы. А, скажем, Samsung M378A2G43MX3-CTD – двухранговый с односторонним расположением микросхем памяти.

    Ориентироваться по количеству и расположению чипов, чтобы определить ранговость памяти, не совсем верно. Лучше все же обращаться к спецификациям или хотя бы к маркировке модулей, которую обычно наносят на каждый DIMM.

    Скажем, Samsung и Crucial обычно указывают это на модулях, хотя и не всегда. Другие бренды этим не заморачиваются, показывают только емкость, частоту и основные задержки. В любом случае, точные данные предоставят спецификации модуля RAM на сайте производителя, или обзоры, форумы в интернете.

    Задержки (тайминги)

    Чаще всего в характеристиках на модули памяти указываются 3-4 значения в строке «тайминги», они же задержки, они же латентность, т. е. время, необходимое на выполнение тех или иных операций. Далее мы разберем их чуть подробнее. В реальности разных задержек много, но четыре считаются основными и наиболее важными при выборе RAM, особенно параметр CAS.

     


    Чтобы разбираться конкретно, возьмем конкретный же модуль памяти, например, Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Это 8-гигабайтная планка RAM с тактовой частотой 2 133 МГц. Давайте обратимся к ее характеристикам, в частности, к строчке «тайминги», где указано: «17-17-17». Что это за цифры, что означают? Вот с этим и предстоит разобраться.

    Сначала выясним, что к чему относится. Так, «17-17-17» — это значения таймингов «CL/tRCD/tRP» соответственно. Если указан четвертый тайминг, то это обычно tRAS.

    CAS(CL)

    CAS расшифровывается как Column Address Strobe, в спецификациях обычно обозначается «CL». Это задержка между моментом, когда контроллер выдал памяти запрос адреса столбца блока, содержащего данные, и началом поступления первого бита информации. При этом нужная строка блока уже выбрана, и тем самым мы имеем все данные для чтения нужной ячейки памяти.

    CAS показывает, сколько тактов длится эта задержка. Тут просится вывод, что чем меньше это значение, тем лучше. Отчасти да, но не совсем.

    Прибегнем к аналогии. Есть два (не полтора, а именно два) землекопа. Один может выкопать необходимую ямку за 17 взмахов лопатой, второму понадобится 22 таких же телодвижения. Внимание, вопрос: кто из работников лучше?

    Я бы не торопился с ответом, т. к. мы пока еще не получили весь необходимый объем исходных данных. В частности, сколько времени тратит каждый из работников на выполнение задачи. Первый делает свое дело не спеша и с перекурами. Второй работает быстрее и курит меньше.

    Теперь есть все основания предполагать, что второй справится с работой быстрее, хотя и затрачивает на нее больше движений. Значит, как исполнитель он выгоднее. Вопросы оплаты труда, условий работы и проч. не учитываем, мы же про аналогии говорим.

    Получается, что реальная задержка зависит как минимум от двух параметров – количества тактов и частоты работы. Это приводит нас выводу, что для вычисления реальной задержки нам надо посчитать затрачиваемое на нее время.

    Сделаем это. Формула проста, делим 1 на значение реальной частоты (для 2 133 МГц это 1 066) и умножаем на значение CAS, результат будет в наносекундах:

    (1/1 066) * 17 = 15.9 нс

    Таким образом, на CAS со значением 17 для модуля с частотой 2 133 МГц необходимо чуть меньше 16 нс.

    Если возьмем такой же модуль памяти, но с частотой 3 200 МГц (Crucial CT8G4DFRA32A), то CAS у него будет уже равняться 22. Опять посчитаем время задержки:

    (1/1 600) * 22 = 13.8 нс

    Вот и получается, что второй «землекоп» хоть и будет больше махать лопатой, но выполнит работу немного быстрее.

    Если еще учесть, что у более высокочастотного модуля RAM и пропускная способность больше (у выбранных в качестве примеров модулей CT8G4DFS8213 и CT8G4DFRA32A это 17 000 МБ/с и 25 600 МБ/с соответственно), то производительность второго модуля выше, как и стоимость. Главное, чтобы система смогла использовать все возможности установленной RAM.

    tRCD

    Расшифровывается как Row Address to Column Address Delay. Это минимальное количество тактов между моментом активации строки банка данных (выдача сигнала на выбор строки RAS) и доступом к столбцу (начало чтения и, соответственно, задержки CAS).

    tRAS

    Помните цитату из фильма:

    — Куда ставить то?!

    —  Да подожди ты.

    — Куда ставить то ?!!

    —  Да подожди ты!

    Вот и в данном случае речь именно про «подожди ты». Это количество циклов, в течение которых выбранная строка должна находиться в активном состоянии до того момента, как будет запущена процедура регенерации. Причем это минимальное значение, т. е. если задержка CAS – это фиксированное значение, то tRAS – изменяемая величина.

    По сути, это ожидание окончания цикла выборки данных, чтобы начать обновление ячеек. Величину этой задержки можно принять равной tRCD+CL+время на обработку команд и некоторые иные служебные нужды.

    Например, у 8-гигабайтного модуля Crucial Ballistix BL8G30C15U4B с частотой 3 000 МГц эта задержка равна 35 (основные тайминги — 15-16-16-35).

    tRP

    Расшифровывается Row Precharge, т. е. минимальное время от получения команды на выполнение зарядки (precharge) банка памяти и получением следующей команды на активацию строки tRCD.

    B-die, C-die, E…

    Интересующиеся темой (про гуру в разгоне я не говорю) наверняка не раз встречали упоминание чипов DRAM Samsung B-die. А у Micron, например, E-die… Это степпинги памяти, которые могут существенно повлиять на скорость работы и разгонные возможности того или иного DIMM.

    У меня нет цели углубляться в вопрос оверклокинга RAM. Да и не получится, ибо тема эта неисчерпаема, что подтверждают многостраничные, порой, на сотни и сотни страниц ветки в тематических форумах.

    Важно знать, что каждый производитель чипов DRAM (не производитель модулей памяти, а именно чипов) выпускает несколько версий своих микросхем. Отражается это в маркировке степпинга. Так, у Самсунга это A-die, B-die, C-die и прочие. Примерно так же маркируются чипы Micron.

    Легендарными среди «гонщиков» являются в первую очередь B-die от Samsung. На изображении  выше показана структура микросхемы DDR4 B-die емкостью 8 Гб K4A8G085WD-BCTD производства Samsung. Модули с ними потенциально наиболее гонибельные. Потенциально, потому что нельзя обеспечить абсолютно одинаковые характеристики чипов в разных партиях.

    Вполне может попасться модуль, который разгонится, но не дотянет до частот, которые дались знакомому на таком же модуле и на схожей системе. Просто не очень повезло с конкретными чипами. Даже в наборе из двух модулей на B-die оба будут хороши, но один все же окажется чуть хорошее.

    В 2019 году планировалось прекращение производства чипов B-die, но произошло ли это в реальности тогда, или произошло позже, или она производится до сих пор – утверждать не стану. В любом случае, если повезло стать обладателем модулей на этих чипах, то хорошая скорость работы, невысокие задержки и разгонный потенциал входят в стоимость.

    При оверклокинге речь идет не только о частотах, на которых достигается стабильность работы, но и таймингах, ибо разгон памяти — это не только и не столько гонка за частотой, сколько баланс между оной и задержками.

    У других брендов оверклокерскими считаются: E-die у Micron, Hynix C-die CJR. В каких модулях находятся какие чипы из спецификаций не узнать. Ориентироваться надо на обзоры, отзывы владельцев и данные, выдаваемые различными утилитами. Например, подробную информацию о модулях памяти выдает утилита Thaiphoon Burner.

    ECC-память

    Как обычно, рассмотрим на примере. Скажем, возьмем модуль памяти Kingston KSM ValueRAM DDR4 KSM29ES8/8HD емкостью 8 ГБ.

    Что в нем отличается от рассмотренных выше? Девять, а не восемь чипов. Хотя мы предполагаем, что восемь микросхем по 8 бит и емкостью по 8 Гб каждая дают нам итоговые 8 гигабайт. Зачем нам еще одна микросхема?

    Дело в том, что если для обычных офисно/домашних ПК возможная ошибка памяти (искажение даже одного бита данных может привести к неверным результатам работы или «падению» системы) дело хоть и неприятное, но не столь критичное, то вот для профессиональных рабочих станций и серверов, которые должны работать 24/7 без сбоев , это недопустимо.

    Чтобы защититься от спонтанных ошибок, существует специальный вид памяти, с защитой от ошибок. Используется технология контроля четности, а сама память в своей маркировке имеет аббревиатуру ECC (Error-Correcting Code memory, память с коррекцией ошибок). Именно для исправления ошибок и требуется дополнительный чип. Как правило, каждые 8 чипов RAM доукомплектовываются еще одним.

    Не буду углубляться в принципы работы ECC, ибо это находится за рамками разговора. Важно то, что использование такой RAM действительно позволяет обезопасить себя от возможных ошибок и повышает надежность системы.

    Правда, использование таких модулей в обычных компьютерах или ноутбуках особого смысла не имеет. Материнские платы для таких ПК обычно не поддерживают эти модули, и устанавливать их не следует. Работать не будет. К тому же ECC RAM стоит немного больше, а производительность немного ниже из-за расходов на обеспечение этой самой коррекции ошибок.

    Регистровая память

    RDIMM (Registered Memory), она же buffered memory. Этот тип RAM используется в серверах. Свое название получила от наличия специальной микросхемы, буфера на каждом DIMM. И вновь обратимся к примеру.

    DIMM Crucial Value DDR4 CT8G4RFD8213. Это одноранговый модуль объемом 8 ГБ, регистровый, с ECC. Посмотрим на него внимательно. Общее количество микросхем на нем 10 штук: 8 чипов памяти, один для ECC и еще один регистровый.

    Этот самый чип содержит регистры-буферы данных, передающихся от контроллера памяти модулям и обратно. Эта микросхема позволяет также снизить электрическую нагрузку на контроллер памяти и тем самым подключить больше DIMM к каждому его каналу. Соответственно, можно получить больший объем ОЗУ в системе.

    Такой вид RAM не предназначен для разгона, у него обычно более высокие задержки, но высокая стабильность работы, система коррекции ошибок и более высокий потолок максимального объема памяти. Также он стоит дороже, и для поддержки необходимы серверные материнские платы и процессоры. Для домашнего/офисного ПК или ноутбука RDIMM не применяется.

    Не следует путать ECC-RAM и регистровую RAM. Это не одно и то же. Модуль памяти может быть ECC, но не являться регистровым, а вот регистровый DIMM всегда еще и ЕСС.

    Дальнейшим развитием буферной памяти является FB-DIMM (Fully Buffered DIMM – полностью буферизованная DIMM). По сути, это та же RDIMM, но буферизуются данные и адресные команды.

    Используется микросхема Advanced Memory Buffer (AMB), располагающаяся между контроллером памяти и чипами DRAM. Используется последовательная шина между контроллером и AMB. Благодаря этой дополнительной микросхеме контроллер теперь непосредственно не общается с чипами памяти, а делегирует эти функции посреднику, AMB.

    Введение дополнительного узла между контроллером памяти и чипами RAM увеличивает задержки, но компенсирует это коррекцией ошибок, стабильной работой, возможностью использовать большой объем памяти.

    Версия печатной платы DIMM

    Давайте посмотрим на следующую иллюстрацию.

    На ней изображены печатные платы, используемые для изготовления модулей DIMM. Несложно увидеть, что они различаются. Эти различия принято называть ревизией (версией) печатной платы.

    Ревизия «A0» создавалась для модулей с частотой 2 133 МГц. Сейчас она используется преимущественно для бюджетных DIMM с далеко не рекордными частотами работы. Это худший дизайн платы для высокочастотных DIMM. Для рабочих частот порядка 4 600 МГц он вообще неприменим. К тому же разгон модулей на «A0» до значения в 4 000 МГц и выше весьма проблематичен.

    Ревизия A1. Этот дизайн частенько используется OEM производителями как универсальный, позволяющий изготавливать как «обычную» память, так и с поддержкой ECC. Оверклокерские возможности повыше, чем у плат ревизии «A0».

    Ревизия «A2» является, по сути, референсным дизайном платы для модулей памяти DDR4 с частотой 2 666 МГц. Правда, никто не запрещает использовать подобную разводку платы для модулей с любой частотой, даже для самых младших с рабочей частотой 2 133 МГц. Это лучший вариант для работы RAM на высоких частотах и для разгона.

    От ревизий «A0» и «A1» отличается в первую очередь расположением чипов DRAM. Они распаяны группами по 4 ближе к краям модуля, а также ближе к контактам разъема, тем самым оставляют среднюю часть платы свободной. Это улучшает электрические характеристики прохождения сигналов, снижает помехи, и в конечном счете улучшает производительность.

    У ревизии «A2» оказался и еще один приятный бонус. В наш век засилья светодиодов везде, где их только можно разместить, 2-я ревизия платы с ее свободной средней частью и расположением чипов ближе к нижнему края модуля оставляет много места для организации подсветки.

    Надо сказать, что представленные выше на иллюстрации дизайны печатных плат совсем не догма, и никто не запрещает внести в них свои изменения. В конце концов, для размещения светодиодов это делать приходится в любом случае.

    В частности, в серии модулей Corsair Dominator с подсветкой печатная плата «A2» больше по размеру, в верхней части размещены светодиоды, а между ними и чипами памяти находятся изолирующие проводники.

    Насколько я знаю, компания GEIL в своих моделях DDR4 с подсветкой использует только «A2» печатные платы. А, например, модуль памяти Crucial MTA8ATF1G64AZ существует как на платах ревизии «A1», так и «A2».

    Память памяти (ROM у RAM)

    В процессе загрузки компьютера при прохождении процедуры Power-On Self-Test (POST) система узнает, какие модули памяти установлены и какие у них параметры. Кто им это сообщает?

    Давайте присмотримся к модулю Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Примерно в середине платы, аккурат над вырезом разъема примостилась небольшая микросхема. Разберемся, для чего она нужна.

    SPD

    Небольшой чип – это SPD (Serial Presence Detect), который хранит информацию о параметрах модуля памяти. Производители тестируют каждую микросхему, проверяя, на какой частоте и с какими таймингами можно получить стабильную работу. Затем чипы со сходными характеристиками собираются вместе и устанавливаются на DIMM модуль.

    Частоты работы, тайминги, данные о производителе и некоторая другая информация – все хранится в этой маленькой микросхеме, и все это считывается в процессе запуска компьютера до загрузки операционной системы. Эта информация позволяет точно настроить режим обмена с RAM.

    В определенной мере данную микросхему можно сравнить с BIOS материнской платы, правда, с большими ограничениями по объему информации и узкой направленностью для обслуживания исключительно данного DIMM.

    XMP

    Многие модели RAM имеют также поддержку XMP. Это разработанный Intel стандарт работы памяти Extreme Memory Profile (XMP). Как можно догадаться из названия, это некий «экстремальный» режим работы модуля. Так и есть, по сути, это выполненный уже на заводе разгон, которым можно и нужно воспользоваться. В результате увеличится частота памяти, изменятся тайминги, напряжение питания.

    Правда, при соблюдении некоторых условий:

    • Материнская плата имеет возможность использования XMP профиля.
    • Процессор поддерживает необходимую скорость работы.

    Профиль XMP необходимо вручную включить в BIOS материнской платы. По умолчанию установленный DIMM будет работать на некоей штатной частоте, скажем, 2 133 МГц, 2 400 МГц и т. п. Например, комплект из двух модулей Ballistix BL2K8G26C16U4R в штатном режиме работает на частоте 2 666 МГц с таймингами 19-19-19-43, а при активации XMP получаем уже 3 200 МГц при таймингах 16-18-18-36 при напряжении питания 1.35 В.

    Значения профиля XMP прописаны в той же микросхеме, что и SPD. При этом никто не запрещает самостоятельно поэкспериментировать с параметрами RAM – изменить частоту, увеличить/уменьшить основные задержки, поиграться с напряжением. Естественно, это на ваш страх и риск с шансом на нестабильную работу, синие экраны и прочие подобные «удовольствия».

    Опять-таки при условии, что материнская плата позволяет вручную изменять эти параметры, т. е. в ней используются чипсеты с поддержкой разгона памяти. У AMD это X570, B550, а у Intel это можно делать на Z590, W580, H570, B560.

    Получить данные об установленных модулях памяти в вашей систем можно, если в командной строке ОС Windows ввести:

    wmic memorychip get Manufacturer,Capacity,PartNumber,Speed,DeviceLocator,ConfiguredVoltage,MemoryType

    Вы получите информацию об установленных DIMM. Правда, для DDR4 параметр MemoryType скорее всего отобразит 0.

    Радиаторы охлаждения

    Если открыть каталог с существующими в продаже модулями памяти, то большАя, если не бОльшая их часть будет иметь радиаторы. Для чего они нужны?

    Если отбросить факт, что это очень удобная штука для установки подсветки и вообще улучшения внешнего вида планок памяти, то основное назначение этих железок – охлаждение. И если мы говорим о высокочастотной памяти с низкими таймингами, тем более предназначенной для разгона, то установка радиаторов имеет смысл.

    При этом в продаже есть немалое количество DIMM вообще без охлаждения. Значит ли это, что мы имеем дело с бюджетной памятью, которая отлично будет работать на штатных частотах, но почти не поддается разгону?

     

    В каких-то случаях да. Судя по имеющейся информации, например, модули Patriot Memory Signature PSD48G320081 обходятся без радиаторов и не гонятся почти никак. Правда, частота у них изначально не самая маленькая, 3 200 МГц, но вот добиться большего вряд ли получится. Тем более, что и ревизия печатной платы тут «A0».

    А бывает и наоборот. Например, можно посмотреть на отзывы счастливых владельцев 8-гигабайтных модулей Samsung M378A1K43BB2-CRC, которые разгоняют их со штатных 2 400 МГц или 2 666 МГц до 3 200 МГц и выше. И без всяких радиаторов. Хотя это не значит, что не надо организовывать нормальную вентиляцию корпуса.

    Поэтому если изначально идет речь о приобретении высокоскоростного модуля памяти, да еще и с перспективой серьезного разгона до частот порядка 4 000 МГц и выше, то металлический радиатор лишним точно не будет.

    Если же речь про штатные частоты в районе 3 000 МГц, а разгон и, особенно, световые шоу в корпусе совсем не интересуют, то отсутствие радиатора отнюдь не причина отказываться от рассмотрения той или иной модели DIMM без дополнительного охлаждения чипов памяти.

    Корпусировка чипов RAM

    Выше я частенько призывал посмотреть на количество чипов, распаянных на DIMM, и сделать какие-то из этого выводы. Надо признаться, что простой подсчет количества чипов памяти не всегда отражает реальную емкость данного модуля или его конфигурацию.

    Приведу пример. Модули Patriot Memory Signature PSD48G320081 и PSD416G240081 имеют по восемь чипов. При этом объем первого 8 ГБ, а второго 16 ГБ. Дело в том, что внутри корпуса микросхемы может располагаться несколько кристаллов памяти.

    Отсюда следует вывод, что первый взгляд на модуль следует подкрепить данными из спецификаций, чтобы начать делать выводы об интересности для вас этого DIMM для покупки.

    Заключение. Анатомия RAM – сложный маленький организм

    Выбор памяти дело и простое, и не очень. Все зависит от того, для чего она выбирается. Если «поставить и забыть» — то следует подобрать нужные модели по параметрам (объем, частота, количество DIMM) и выбрать понравившийся. Разве что сравнить тайминги и выбрать минимальные.

    Если эстетическая составляющая внутреннего мира системного блока не пустой звук, то к перечисленным выше параметрам следует добавить наличие красивого радиатора с разноцветной подсветкой.

    Сложнее с любителями разгона. Здесь в большей степени интересует анатомия RAM. Какой степпинг чипов и кем произведены, ранговость, какая версия печатной платы. Надо учесть платформу, для которой подбирается RAM, тайминги, возможность разгона. Желательно ознакомиться со статистикой результатов оверклокинга данных модулей у коллег по цеху.

    В результате, оперативная память хоть и является одним из самых компактных компонентов в ПК (если сравнивать с видеокартами, жесткими дисками, кулерами и т. п.), но не так проста по сути. Знание тонкостей поможет сделать правильный выбор и позволит получить дополнительные FPS в играх, уменьшить время тех или иных расчетов, да и просто сделать компьютер более отзывчивым.

    Меняем SPD модулей памяти DDR2 и DDR3

    Принесли мне в жертву для обновления старенький Macbook 13 mid 2010 для обновления. Процедура стандартная — расширяем память до 8Gb DDR3, ставим SSD и обновляем Mac OS. С последними двумя пунктами проблем не возникло, а вот с первым всё оказалось не так просто — имеющиеся у меня на руках планки отказались запускаться на этом Mac’е, не смотря на то, что они прекрасно работали в другом Macbook Pro тех же времён. В итоге выяснилось, что данный Macbook работает только с памятью на частоте 1066Mhz (PC8500) из-за встроенной видеокарты GeForce 320M, которая может работать только на частоте 1066. Это легко проверялось установкой одного старого модуля 1Gb с частотой 1066 и нового 4Gb с частотой 1600 — всё запускалось и прекрасно работало. Значит наша задача, сделать так, чтобы хотя бы одна из новых планок памяти запускалась на частотах не выше 1066Mhz.

    Для этого нам потребуется другой компьютер, в котором данная память работает, и программа RWEverything. Идём в меню Access -> DIMM SPD и в выпадающем списке выбираем нужный модуль (с адресом 0xA0 или 0xA2 и т.д), после чтения данных программа сразу покажет вам расшифрованные данные модуля на вкладке Summary.

     В соответствии со спецификацией SPD за максимальную частоту памяти отвечает адрес 0x0C. Значение 0А по этому адресу означает скорость 1600, нам же нужна скорость 1066, а это 0F. Но изменение этого значения не достаточно, поскольку эти значения сверяются с контрольной суммой по адресу 0x7e–0x7f. Контрольная сумма считается для байтов 0-116 в формате CRC16. Для расчёта контрольной суммы можно воспользоваться онлайн калькулятором. Пример можно увидеть на скрине ниже.

     В результате получаем значение 0х8А2А

     Для проверки сравним это значение с записанным в памяти. Переводим RWEverything в режим word и сверяем…

     Значения совпадают, значит последовательность введена правильно и можно вносить изменения и считать новую контрольную сумму. Меняем в калькуляторе значения в позиции 0х0С на 0F и снова считаем новую контрольную сумму 0х9D32. Вводим новые значения в RWEverything и жмём Write.

     После перезагрузки компьютера, если всё сделано правильно, можем увидеть в RWEverything изменённые данные при считывании SPD.

    Таким же образом можно менять и другие характеристики памяти, но нужно учитывать что частота и тайминги в SPD прописаны в наносекундах с учётом множителя средней временной базы (MTB, чаще всего 1/8 — отношение адресов 0х0А/0х0В). Например, в случае с частотой DDR3-1600 имеем тактовую частоту 800Мгц, в наносекундах это 1,25 или 10 с учётом множителя MTB 1/8, а 10 в шестнадцатеричной системе это 0А, что мы и видели в изначальных значениях памяти по адресу 0х0С.

    Таким же способом можно переделывать память DDR3 в DDR3L и обратно, но только в случае если используемые на планке модули памяти по спецификации поддерживают необходимые напряжения. За поддерживаемые напряжения отвечает адрес 0х06, а значения 00 — 1.5V, 02 — 1.35V/1.5V, 03 — 1.35V

    Как разогнать оперативную память: исчерпывающее руководство

    Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти

    Скорость работы компьютера зависит от объёма оперативной памяти. А насколько быстро она сама даёт записывать и считывать данные, покажут эти характеристики.

    Эффективная частота передачи данных

    Скорость работы памяти зависит от количества операций передачи данных, которые можно провести за одну секунду. Чем выше эта характеристика, тем быстрее работает память.

    Формально скорость измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Один трансфер — одна операция передачи данных, мегатрансфер — миллион таких операций, гигатрансфер — миллиард.

    Но почти всегда скорость указывают в мегагерцах или гигагерцах — производители решили, что покупателям так будет понятнее. Если на вашу планку памяти нанесена, например, маркировка DDR4‑2133, то её скорость передачи данных — 2 133 MT/s или 2 133 МГц.

    Модуль памяти с частотой 2 133 МГц и рабочим напряжением 1,2 В. Фото: Wikimedia Commons

    Но эффективная частота передачи данных памяти DDR вдвое выше её тактовой частоты. Собственно, DDR — это double data rate, удвоенная скорость передачи данных.

    В таких модулях данные за каждый такт передаются дважды: импульс считывается и по фронту сигнала, и по его спаду, то есть один цикл — это две операции. Таким образом, реальная частота, на которой работает память DDR-2666 — 1 333 MT/s или 1 333 МГц.

    Если у вас установлены планки памяти с разной частотой, то система будет работать на наименьшей из них. Конечно же, материнская плата должна поддерживать эту частоту.

    Тайминги

    CAS‑тайминги (Column Access Strobe) — это задержки в процессе работы оперативной памяти. Они показывают, сколько тактов нужно модулю памяти для доступа к битам данных. Чем ниже тайминги, тем лучше.

    По сути, память — это прямоугольная таблица, которая состоит из ячеек в строках и столбцах. Чтобы получить доступ к данным, нужно найти правильную строку, открыть её и обратиться к ячейке в определённом столбце.

    Обычно тайминги записываются в таком формате: 15‑17‑17‑39. Это четыре разных параметра:

    • Собственно, CAS Latency — задержка сигнала между отправкой адреса столбца в память и началом передачи данных. Отражает время, за которое будет прочитан первый бит из открытой строки.
    • RAS to CAS Delay — минимальное количество тактов между открытием строки памяти и доступом к её столбцам. По сути, это время на открытие строки и чтение первого бита из неё.
    • RAS Precharge Time — минимальное количество тактов между подачей команды предварительной зарядки (закрытием строки) и открытием следующей строки. Отражает время до считывания первого бита памяти из ячеек с неверной открытой строкой. В этом случае неверную строку нужно закрыть, а нужную — открыть.
    • DRAM Cycle Time tRAS/tRC — отношение интервала времени, в течение которого строка открыта для переноса данных, ко времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки. Этот параметр отражает быстродействие всей микросхемы памяти.

    Если у оперативной памяти высокая тактовая частота и большие тайминги, она может работать медленнее, чем вариант с меньшей частотой, но и более низкими таймингами. Вы можете разделить тактовую частоту на CAS Latency (первое число в строке таймингов) и понять, сколько инструкций в секунду способна выполнить память. Это позволит оценить, насколько она быстрая.

    Напряжение

    В документации к оперативной памяти вы можете увидеть много различных параметров: напряжение контроллера (SOC), тренировки памяти при запуске системы (DRAM Boot), источника опорного напряжения (Vref) и так далее. Для разгона важен в первую очередь SOC. Он зависит от класса памяти — нормой считаются такие значения:

    • DDR2 — 1,8 В;
    • DDR3 — 1,5 В;
    • DDR4 — 1,2 В.

    Также для каждого класса памяти есть пиковые значения напряжений, которые при разгоне превышать не стоит:

    • DDR2 — 2,3 В;
    • DDR3 — 1,8 В;
    • DDR4 — 1,5 В.

    При повышении частоты оперативной памяти потребуется увеличенное напряжение. Но чем оно выше, тем больше риск преждевременного выхода модулей из строя.

    Ранг

    Оперативная память бывает одно-, двух- и четырехранговой. Ранг — это число массивов из микросхем памяти, распаянных на одном модуле. Ширина одного массива (банка), как правило, равна 64 битам, в системах с ЕСС (кодом коррекции ошибок) — 72 бита.

    Одноранговые модули (single rank) обычно включают 4 или 8 чипов на одной планке. Двухранговые (double rank) — 16 таких чипов. Четырехранговые (quad rank) — 32 чипа, и такой формат встречается достаточно редко.

    Обычно этот показатель помечается буквой в названии: S (single) — одноранговая, D (double) — двухранговая, Q (quad) — четырехранговая.

    Одноранговые чипы обычно дешевле и имеют больше перспектив для разгона. Двухранговые модули изначально работают с большей производительностью, но прирост при разгоне будет меньше.

    Любую ли оперативную память можно разогнать

    Это зависит в первую очередь от материнской платы. Если она поддерживает оверклокинг (разгон), то, скорее всего, и с разгоном памяти проблем не будет.

    Материнские платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570 для процессоров AMD поддерживают разгон, на А320 — нет. На этой странице вы сможете уточнить, есть ли возможность оверклокинга у вашей модели.

    Для систем с процессорами Intel для оверклокинга подходят платы на чипсетах Х- и Z‑серий. Модели из линеек W-, Q-, B- и H‑серий разгон не поддерживают. Уточнить данные по вашей материнской плате можно здесь.

    Считается, что оперативная память Samsung обеспечивает наиболее высокий прирост при разгоне. Прирост производительности чипов Hynix и Micron будет меньше.

    Подчеркнём: речь идёт именно о чипах. Некоторые бренды, например Kingston или Crucial, могут выпускать память на чипах Samsung, Hynix или Micron.

    Вопрос лишь в том, зачем вам разгонять память. Если вы таким образом хотите ускорить сёрфинг в интернете, то вряд ли достигнете заметных результатов. А вот для повышения FPS в играх, ускорения обработки фото в Adobe Lightroom и видео в Adobe AfterEffects или Premiere разгон оправдан — можно «выжать» рост производительности на 15–20%.

    Отметим также, что у процессоров AMD Ryzen частота оперативной памяти связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер. Поэтому для систем на базе AMD разгон напрямую влияет на производительность центрального процессора.

    Но в любом случае гарантия производителей не распространяется на память, параметры которой вы изменили. Так что любой разгон вы делаете на свой страх и риск.

    Как подготовиться к разгону оперативной памяти

    Чтобы добиться результата и не навредить компьютеру, выполните эти шаги.

    Почистите компьютер

    Любой разгон ведёт к повышению температуры комплектующих. Чтобы система охлаждения эффективно справилась с этим, проведите генеральную уборку внутри системного блока или ноутбука. На этой странице вы найдёте инструкцию для ноутбука, с ПК всё окажется даже проще: комплектующие на виду, разбирать системный блок легче.

    Установите ПО

    Эти утилиты расскажут о характеристиках вашей системы и помогут протестировать её после разгона. Вам точно потребуется программа для определения параметров памяти и бенчмарк для тестов. Рекомендуем такие варианты ПО:

    • Thaiphoon Burner — пожалуй, самая популярная в среде оверклокеров утилита для определения параметров памяти. Цена — от 26 долларов в год.
    • CPU‑Z — небольшая бесплатная программа, которая поможет уточнить характеристики памяти и системы в целом.
    • Аida64 — также показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования. На официальном сайте есть платные варианты и бесплатные демоверсии.
    • DRAM Calculator for Ryzen — бесплатная утилита, поможет выставить оптимальные параметры разгона оперативной памяти для систем на базе AMD Ryzen. Также ПО включает бенчмарк для тестирования памяти, который подходит и для систем на базе процессоров Intel.
    • Prime95 — бесплатный бенчмарк для тестирования стабильности системы: он хорошо нагружает и процессор, и оперативную память. При использовании нужно выбрать вариант Blend, чтобы добиться значительной нагрузки на память.
    • MemTest86 — бенчмарк, в котором вы найдёте больше данных и алгоритмов для проверки. Для работы программы потребуется флешка — на неё вы запишете образ диска с тестами. Затем нужно загрузить компьютер с флеш‑накопителя (выставить в BIOS / UEFI загрузку с USB) и запустить тесты. Бесплатной версии достаточно для разгона ОЗУ.

    Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы

    Обновите программное обеспечение материнской платы перед разгоном. Загрузить свежий BIOS / UEFI можно с сайта производителя.

    Как правило, новые версии работают стабильнее, в них меньше ошибок и факторов риска. К тому же старые прошивки некоторых моделей плат могут не поддерживать разгон памяти, а новые — уже включают эту функцию.

    Как разогнать оперативную память в BIOS

    Разгон в BIOS — самый универсальный способ. Он требует много усилий и времени, так как подбирать параметры приходится вручную. Порой на достижение оптимальных характеристик может уйти день‑другой. Но работает всегда — разумеется, если ваша материнская плата поддерживает оверклокинг. Главное — не увеличивать напряжение выше пиковых значений и не игнорировать ошибки в тестах стабильности системы.

    Определите характеристики оперативной памяти

    В Thaiphoon Burner нажмите Read и выберите нужный модуль памяти. Характеристики показываются отдельно для каждого из них.

    1 / 0

    2 / 0

    В CPU‑Z эти данные представлены на вкладке SPD. В верхней части — тип памяти, её частота, ранг, сведения о производителе и дате выпуска. В нижней — тайминги.

    Эта же информация есть в Aida64: в пункте «Системная плата» — SPD:

    Оцените производительность памяти в бенчмарке

    Запустите бенчмарк для оценки скорости работы модулей до разгона. Например, в разделе «Тесты» Aida64 доступны варианты «Чтение из памяти», «Запись в память», «Копирование в памяти» и «Задержка памяти». Дождитесь окончания каждого теста и сохраните результаты — запишите или сделайте скриншоты.

    Увеличьте напряжение и частоту

    Поднимите рабочее напряжение модулей памяти. Для самого распространённого сегодня стандарта DDR4 нормой считается 1,2 В, пиковым — 1,5 В, значит, разгон можно проводить в пределах 1,35–1,45 В.

    Рекомендуем также увеличить напряжение контроллера (VCORE SOC для AMD, VCCSA для Intel), если материнская плата не делает это автоматически. Параметр должен быть в пределах 1,05–1,1 В.

    Вы можете увеличить и VCCIO на 0,05–0,1 В. Дополнительное напряжение может сделать систему стабильнее.

    Затем постепенно повышайте частоту памяти. Для Ryzen многое зависит от архитектуры процессора. Так, в системах с чипами на микроархитектуре Zen оперативную память можно разогнать до 3 466 МГц, на Zen+ — до 3 533 МГц, на Zen2 — до 3 800 МГц. Для Zen3, которая появилась в продаже в ноябре, ожидается разгон памяти до 4 000 МГц и выше.

    Примерные значения вы можете определить в DRAM Calculator for Ryzen для систем на базе процессора AMD. Вам нужно указать микроархитектуру (Zen, Zen+, Zen2, Zen3), тип чипа памяти, ранг (1 или 2), количество модулей и чипсет материнской платы.

    Напомним: характеристики памяти детально описаны в Thaiphoon Burner. Семейство процессора и материнской платы найдёте в CPU‑Z или Aida64.

    После того как вы установили основные параметры системы в DRAM Calculator for Ryzen, нажмите R‑XMP, чтобы он выполнил базовые расчёты. А затем определите нужные настройки для безопасного (Calculate Safe), быстрого (Calculate Fast) или экстремального разгона (Calculate Extreme).

    Для Intel аналогов DRAM Calculator for Ryzen пока нет. Но если вы пользуетесь какими‑то средствами, которые облегчают подбор параметров, напишите о них в комментариях.

    Разработчики DRAM Calculator for Ryzen предлагают пользователям делиться результатами разгона и собирают статистику в таблицы:

    Не рекомендуем сразу увеличивать частоту оперативной памяти выше значений, которые поддерживает процессор. Характеристики процессоров Intel ищите на этой странице.

    На сайте AMD вы также можете найти информацию о конкретной модели чипсета.

    Перезагрузите компьютер и проверьте результат

    Прежде всего запустите бенчмарк и посмотрите, увеличились ли результаты. Если нет, верните предыдущие значения — вероятно, вы достигли максимальной частоты работы памяти. Если показатели выросли, запустите тест стабильности системы, например из DRAM Calculator for Ryzen.

    Если в тесте ошибок не будет, можете начать более фундаментальные испытания. Пары часов в Prime95 или другом требовательном к памяти бенчмарке будет достаточно. Только если в течение длинного стресс‑теста вы не поймали BSOD («синий экран смерти») или другие ошибки, можете перейти к следующему этапу разгона. В ином случае возвращайте предыдущие значения.

    Повторите

    Повышайте частоту оперативной памяти, пока компьютер работает стабильно. Если же он не запустился после перезагрузки, верните предыдущие значения параметров, которые вы меняли.

    Уменьшите тайминги

    Когда вы достигли максимально возможных значений частоты работы оперативной памяти, снижайте базовые тайминги (первые четыре значения) на единицу и снова тестируйте систему. Остановиться стоит, когда вы перестанете видеть прирост производительности или когда компьютер не сможет стабильно работать.

    1 / 0

    2 / 0

    Как разогнать оперативную память с помощью XMP‑профиля

    XMP‑профиль (eXtreme Memory Profile — экстремальный профиль памяти) — это параметры для разгона оперативной памяти, заданные производителем. Фактически это «одобренный оверклокинг»: мощность будет выше, чем с изначальными заводскими настройками, а риски вывести систему из строя минимальны.

    Это, пожалуй, самый простой способ разгона. Если, конечно, XMP‑профили доступны для вашего ПК.

    Проверьте, поддерживает ли система XMP‑профили

    Зайдите в BIOS / UEFI и перейдите на страницу настроек памяти. Если здесь есть пункт вроде Memory Profile и в нём доступны варианты XMP‑профилей, значит, ваша система поддерживает эту возможность. В самом профиле вы можете увидеть конкретные значения параметров работы оперативной памяти.

    Оцените производительность памяти в бенчмарке

    Откройте DRAM Calculator for Ryzen, запустите Membench и выберите подходящий тест. Рекомендуем Easy, если у вас до 8 ГБ оперативной памяти, и Memtest — если больше.

    Вы также можете запустить тесты в Aida64 или других бенчмарках.

    Примените XMP‑профиль

    Переключите конфигурацию в BIOS / UEFI со стандартной на нужный XMP‑профиль. Примените настройки и перезагрузите систему.

    На некоторых платах профили включаются иначе. Например, в BIOS / UEFI материнских плат ASUS их можно активировать в разделе AI Tweaker. В BIOS / UEFI игровых материнских плат MSI этот пункт вынесен на главную страницу или на вкладку Extreme Tweaker.

    Оцените результат

    Снова запустите бенчмарк и оцените рост показателей. Затем запустите тест стабильности системы (Prime95 и другие) — не менее чем на два часа, а лучше — на 12–24 часа.

    Если всё прошло успешно, используйте этот профиль или попробуйте следующий. Затем сравните результаты и выберите тот, который обеспечит вам большую производительность.

    Если система не запустилась, поэкспериментируйте с другим профилем или верните заводские настройки. Обычно первый вариант немного повышает производительность системы, а второй и последующие обеспечивают более экстремальный разгон.

    Как разогнать оперативную память с помощью AMD Ryzen Master

    AMD Ryzen Master — это утилита для комплексного разгона систем на базе процессоров AMD Ryzen. Оверклокинг здесь похож на разгон памяти в BIOS. Но интерфейс универсальнее и есть готовый бенчмарк для тестов.

    В секции Memory Control вы можете установить нужные параметры производительности. При выборе настроек рекомендуем отталкиваться от значений, которые выдаст DRAM Calculator for Ryzen.

    По завершении настройки сохраните профиль, а затем нажмите Apply & Test. Встроенный бенчмарк поможет проверить стабильность и продуктивность работы системы.

    Скачать AMD Ryzen Master →

    Читайте также 👨‍💻💿⚙️

    Что такое тайминги памяти? Задержка CAS, tRCD, tRP и tRAS (часть 1) | ГеймерыNexus

     

    Что такое тайминги памяти?

    Во-первых, основы. В то время как частота памяти измеряется в герцах или циклах в секунду, единицей измерения таймингов памяти являются простые циклы. Чтобы преобразовать тактовые циклы в измерение времени, необходимо знать частоту памяти. Это указано в МГц или в единицах 1 000 000 Гц. Память 3200 МГц имеет тактовую частоту 3 200 000 000 циклов в секунду, поэтому время завершения цикла должно составлять (1/3 200 000 000) секунд.Однако современная память — это DDR (удвоенная скорость передачи данных), что означает, что данные передаются по переднему и заднему фронту каждого тактового импульса, поэтому заявленные частоты в два раза превышают реальную тактовую частоту. Вот почему, когда вы устанавливаете память на 3200 МГц в BIOS, CPU-Z покажет 1600 МГц. Следовательно, время действительно составляет (1/(3 200 000 000/2)) секунды. Если в нашем примере память имеет время CL, равное 16 тактовым циклам, это преобразуется в (16 * (1/(3 200 000 000/2)) секунд, или 0,00000001 секунд, или 10 наносекунд.

    Уравнение: (1/(объявленная частота/2)) * время в циклах = время в секундах.Для набора DDR3-1600 CL, равный 9, соответствует 11,25 нс, что на самом деле медленнее, чем в нашем предыдущем примере. Задержки постепенно увеличивались с годами по мере увеличения физического расстояния, которое должны преодолевать сигналы (скорость света является жестким ограничением), но частота также увеличивалась, и, следовательно, производительность все еще улучшалась. Частота очень важна, но это всего лишь один из элементов производительности, как и в случае с процессорами.

    Существует много-много разных таймингов, но они имеют дело с довольно небольшим списком команд: когда они могут быть выданы, сколько времени требуется на их выполнение, сколько циклов проходит до ответа.Вот таблица команд DDR4, скопированная из Википедии:

    Важными сигналами из верхней строки являются ACT (активация), RAS (строб доступа к строке), CAS (строб доступа к столбцу) и WE (разрешение записи). RAS и CAS часто называют просто адресами столбцов и строк, потому что на самом деле они не являются стробами; терминология является пережитком. Это сигналы Active-Low, поэтому они могут быть либо H (высокий), либо L (низкий), 1 или 0. Вместе они образуют четырехбитный код, который определяет команду, которую необходимо выполнить. Сигналы немного изменились за прошедшие годы, но по большей части DDR4 имеет тот же список команд, что и SDRAM, и, следовательно, многие из тех же таймингов.Для некоторой справочной информации о таких вещах, как банки, строки и столбцы, эта почтенная статья 2010 года от Anandtech является хорошим обзором того, что на самом деле представляет собой SDRAM и как она работает.

    Для следующего раздела мы создали пользовательскую анимацию, которую можно найти во встроенном видео выше. Это может помочь лучше понять приведенные ниже определения.

    Активировать : открывает строку банка. Строка должна быть активной для чтения и записи данных. Если ряд не активен, он простаивает, а если ряд активирован, он остается таким до команды предварительной зарядки.

    Precharge : закрывает открытый ряд в одном или всех банках (две отдельные команды), переводя их в состояние ожидания. Данные по-прежнему хранятся в незанятых банках, но перед чтением или записью их необходимо снова активировать.

    Чтение и запись : не требует пояснений. С помощью этих команд можно установить флаг Auto Precharge для автоматической предварительной зарядки строки по завершении.

    Калибровка ZQ : компенсирует колебания температуры/напряжения. Это может быть повторяющаяся команда, но не настолько часто, чтобы сделать соответствующие тайминги важными для нас.

    Refresh : обновляет заряд в ячейках памяти, записывая данные на место без их изменения. DRAM — это энергозависимая память, а это означает, что для хранения данных требуется питание: биты представлены зарядами на конденсаторах, которые со временем протекают, если их не считывают и не записывают. Мы обсудим это подробнее в следующей статье: ищите tREFI и tRFC. Все банки должны быть бездействующими (предварительно заряженными) перед обновлением.

    Тайминги обычно делятся на три категории: первичные, вторичные и третичные.Первичный — самый широкий, номинальные настройки указаны на коробке (например, 16-16-16-32 2T), и обычно они настраиваются в BIOS. Вторичные — это не первичные тайминги, которые можно дополнительно установить в SPD (см. следующий раздел). К ним относятся: tWR, tRFC, tRDD_L, tRDD_S, tWTR_L, tWTR_S, tRTP, tFAW и tCWL. Их имена и определения будут рассмотрены в следующей статье. Третичная категория — это всеобъемлющая категория для всего остального, и это глубокая кроличья нора — независимо от того, отображаются ли эти настройки в BIOS, сильно зависит от качества материнской платы, а значения варьируются в зависимости от конкретной оперативной памяти, процессора и материнской платы.Мы расскажем об этом в другой статье.

    Описание SPD и XMP

    Последний абзац требует дополнительного пояснения. Каждая планка ОЗУ содержит информацию, запеченную в EEPROM (электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство), включая некоторые безопасные профили синхронизации/частоты — их можно просмотреть на вкладке SPD в CPU-Z под заголовком JEDEC.

    Ассоциация твердотельных технологий JEDEC (Объединенный совет по разработке электронных устройств) — это организация, которая публикует стандарты для DDR4, DDR5, твердотельных накопителей, мобильной памяти, ESD, GDDR6 и т. д.Они отвечают за стандартизацию и определение всего в этой статье, от аббревиатур до всей концепции DDR4. В рамках этого JEDEC публикует таблицы базовых таймингов для различных типов ОЗУ, некоторые из которых сохраняются в SPD. Производители памяти технически производят разновидности оперативной памяти, строго определенные JEDEC, такие как DDR3 1600 МГц 11-11-11-28, но могут делать их способными работать с более высокими скоростями и продавать их как таковые. Например, Corsair продает память с частотой 4600 МГц, что на момент написания этой статьи является более высокой скоростью, чем определено JEDEC для DDR4.Когда вновь построенная система включается впервые, плата проверяет SPD и по умолчанию устанавливает наилучший набор из этих одобренных JEDEC медленных, но безопасных скоростей.

    XMP — это расширение SPD. XMP, или eXtreme Memory Profiles, представляют собой спецификации с более высокой производительностью, втиснутые в оставшееся место в EEPROM. Концептуально это то же самое, что и профили JEDEC, но они оптимизированы производителем памяти. XMP содержит настройки, которые, по словам производителя памяти, вероятно, будут работать, но могут не поддерживаться в зависимости от качества ЦП IMC или SOC и других компонентов.Для оперативной памяти энтузиастов заявленные скорости обычно достижимы только при использовании XMP.

    XMP технически является термином Intel и стандартом Intel, но «экстремальный профиль памяти» — это буквально просто список чисел, которые могут быть прочитаны любой системой (если это позволяет плата). Например, DOCP и EOCP на платах AMD — это просто общие названия для XMP. «Профиль XMP» избыточен, но просто помните: никого это не волнует, включая Intel, иначе они бы правильно сократили «экстремальный».

    Ни SPD, ни XMP не содержат все тайминги.По словам представителя Kingston: «Мы настраиваем только «основные» тайминги (CL, RCD, RP, RAS). Другие сроки оставлены в покое по рекомендациям JEDEC, вероятно, для MRC». Что касается некоторых конкретных субтаймингов, о которых мы спрашивали, «поскольку их нет в SPD (или XMP), мы не можем их изменить, даже если нам это нужно». Это согласуется с нашим опытом в разделе «Воздействие на реальный мир» этой статьи. Даже если производители памяти хотели бы углубиться, существует определенный и ограниченный список записей SPD.

    Если вы читаете эти статьи, потому что хотите знать, следует ли настраивать память, большинство обычных пользователей ответят: «Нет, определенно нет.«Мы провели большую настройку памяти для наших потоков #RIPLTT, и может потребоваться день (или больше), чтобы установить оптимальное время — и даже у них могут быть случайные ошибки памяти. Включение XMP и окончание работы обычно делают достаточно хорошую работу. Настройка памяти — это прерогатива оверклокеров, энтузиастов аппаратного обеспечения и людей, у которых много свободного времени, но это не стоит тех пользователей, которым просто нужно что-то с минимальными усилиями. XMP прикроет этот лагерь.

    Что такое тренировка памяти и как тренировать память?

    Итак, когда дело доходит до этого, ОЗУ не устанавливает свою собственную частоту и тайминги — это делает BIOS с SPD/XMP в качестве отправной точки.На платах Intel этот элемент BIOS называется MRC. Это одна из областей, в которой производители плат могут получить преимущество в производительности, потому что огромное разнообразие оперативной памяти и различия между чипами Samsung, Micron и Hynix делают третичные тайминги ужасно сложными для настройки. Производители памяти и плат могут работать вместе, чтобы установить оптимальные тайминги для популярных комплектов, но по большей части они определяются (если оставить их автоматически) во время POST, где они должны оставаться неизменными, если не возникнут сбои загрузки.

    Тренировка памяти может показаться обычным оверклокерам черным искусством, где ОЗУ можно волшебным образом «взламывать», многократно вызывая сбои загрузки, пока нестабильная OC не станет достаточно стабильной для тестов. На самом деле происходит то, что IMC пробует различные настройки в попытке стабилизировать систему (не все из них тайминги). Со стороны пользователя может показаться, что он пытается решить головоломку, встряхивая коробку, но это работает. Это важный момент даже для тех, кто не занимается разгоном: если память нестабильна с XMP, дайте системе несколько раз перезагрузиться, прежде чем сдаться.

    Реальное влияние таймингов нижнего уровня памяти

    Различные комплекты имеют разные стандарты JEDEC, поэтому загружаются разные субтайминги. Это проблема, с которой мы сталкивались раньше: у нас было два комплекта, идентичных по частоте и емкости, но с разными задержками; однако комплект 16-18-18-36 Corsair как-то обошел в тестах комплект 14-14-14-34 G.SKILL. После обсуждения этого с обоими производителями выяснилось, что флешки Corsair были двухсторонними с группами 512MBx8 IC (микросхем памяти), а G.SKILL были односторонними с группами микросхем 1GBx8.

    512MBx8 — это более старый стиль, поэтому на самом деле он имеет более узкие подтайминги, определенные JEDEC (см. «Что такое тайминги?»). Самым большим виновником в этом случае был tRFC, или время цикла обновления. Мы рассмотрим полное определение этого во второй части, но сейчас важно то, что значение, установленное JEDEC для типа комплекта Corsair, было 416 и 560 для G.SKILL. Когда мы скорректировали значение tRFC комплекта G.SKILL, чтобы оно соответствовало Corsair, без каких-либо других корректировок, он вырвался вперед по производительности и оставался стабильным, как показано в результатах Ashes of the Singularity ниже:

    .

    Это крайний случай, но он показывает как ценность экспериментов с субтаймингами, так и разочарование при тестировании памяти.Если бы плата ASUS имела набор оптимизированных таймингов для этого конкретного комплекта G.SKILL, она с самого начала работала бы лучше, чем комплект Corsair.

    Первичные тайминги: объяснение tCL/tCAS, tRCD, tRP и tRAS

    Со всем этим пришло время поговорить об основном наборе таймингов. В любом списке продуктов, коробке или планке оперативной памяти тайминги будут указаны в формате tCL-tRCD-tRP-tRAS, иногда также указывается CR.

    Задержка CAS (tCL/tCAS):

    Википедия: «Количество циклов между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответ.Это количество циклов, которое требуется для чтения первого бита памяти из DRAM с уже открытой правильной строкой. В отличие от других чисел, это не максимальное, а точное число, которое должно быть согласовано между контроллером памяти и памятью».

    CAS Latency — наиболее широко обсуждаемая и сравниваемая тайминг памяти. Время CL — это точное число, базовое время, необходимое для получения ответа из памяти в наилучшем возможном сценарии, описанном выше, называемом «обращением к странице».«Другие основные тайминги (кроме частоты команд) минимальны. Важно помнить, что хотя мы будем говорить о том, как эти тайминги относятся к чтению данных из памяти, это только одна вещь, на которую они влияют.

    Задержка RAS-CAS (tRCD):

    Википедия: «Минимальное количество тактов, необходимое между открытием строки памяти и доступом к столбцам в ней. Время чтения первого бита памяти из DRAM без активной строки равно tRCD + CL».

    RAS to CAS — это одна потенциальная задержка для чтения/записи.tRCD — это количество тактов, необходимое для открытия строки и доступа к столбцу. Если запрос данных выполняется при отсутствии открытых строк, что называется «промахом страницы», для получения ЦП первого бита данных в ответ потребуется не менее tRCD + тактовых циклов CL.

    Время предварительной зарядки строки (tRP):

    Википедия: «Минимальное количество тактов, необходимое между выдачей команды предварительной зарядки и открытием следующей строки. Время чтения первого бита памяти из DRAM с неправильной открытой строкой составляет tRP + tRCD + CL.

    Если открыта неправильная строка («страница пропущена»), ее необходимо закрыть (предварительно зарядить), затем необходимо открыть следующую, затем необходимо получить доступ к столбцу внутри строки. Следовательно, это занимает время tRP + tRCD + CL.

    Активное время строки (tRAS):

    Википедия: «Минимальное количество тактов, необходимое между активной командой строки и выдачей команды предварительной зарядки. Это время, необходимое для внутреннего обновления строки, и совпадает с tRCD. В модулях SDRAM это просто tRCD + CL.В противном случае примерно равно tRCD + 2×CL».

    Также известен как задержка активации для предварительной зарядки или минимальное время активности RAS. Здесь уместно первое уравнение (для SDRAM), но оно должно быть чем-то большим. Мы видели несколько разных «настоящих» способов вычисления tRAS, но, учитывая сложность операций с памятью, метод проб и ошибок остается самым простым. Например, мы каким-то образом загрузились с памятью 16-16-16-26, и это не имеет смысла ни по каким правилам.

    Частота команд (CR/CMD/CPC/tCPD):

    AMD: количество времени в циклах между выбором микросхемы DRAM и выполнением команды.2T CR может быть очень полезен для стабильности при высоких тактовых частотах памяти или для конфигураций с 4 модулями DIMM.

    Также известен как командный период. Это будет либо 1T, либо 2T в современной памяти, причем 1T быстрее. Несмотря на уникальное обозначение -T, это измеряется в тактах, как и другие тайминги. Как правило, между двумя вариантами существует очень небольшая разница в производительности.

    Заключение по части 1

    Это основные сведения, но есть много других таймингов, которые нужно определить и объяснить.Вернитесь к части 2, где мы рассмотрим вторичные и третичные тайминги памяти DDR4.

    Если что-то из этого было бы лучше с наглядным пособием, попробуйте наше встроенное видео (выше) для анимированного пошагового руководства о том, как работают некоторые доступы к памяти. Мы скоро вернемся к вторичным и третичным таймингам.

    Редакционная статья, исследование: Патрик Латан
    Ведущий: Стив Берк
    Видео: Эндрю Коулман

    Что такое SPD в CPU-Z? – СидмартинБио

    Что такое SPD в CPU-Z?

    Вкладка «SPD» в CPU-Z отображает размер, максимальную скорость, производителя, номер модели и дату производства каждого модуля памяти в компьютере.В нижней половине окна отображаются значения времени задержки, с которыми модуль памяти совместим на всех поддерживаемых скоростях.

    Что такое тайминги jedec?

    Теперь таблицы JEDEC представляют собой стандартные тайминги, запрограммированные в таблицы SPD оперативной памяти. Они сообщают компьютеру, с какими настройками следует запускать оперативную память для определенных скоростей.

    Что такое jedec в CPU-Z?

    Профили

    JEDEC являются стандартными профилями для оперативной памяти, они есть у всех DDR4 (а также предыдущих версий DDR3,…). Короче говоря, это настройки, которые должны использовать все ОЗУ этой категории.Как видите, для вашей оперативной памяти существует несколько профилей, и вы можете выбрать один из них в BIOS.

    Как проверить текущие тайминги памяти?

    Запустите приложение и перейдите на вкладку Память. Найдите раздел Тайминги. Там вы можете увидеть частоту памяти (умножьте ее на два, если у вас двухканальная память) и основные тайминги.

    Показывает ли CPU-Z оперативную память?

    Перейдите на официальный сайт CPU-Z, чтобы загрузить и установить программное обеспечение. CPU-Z проведет анализ вашей системы, а затем предоставит много полезной информации, включая скорость оперативной памяти.1) Перейдите на вкладку «Память», вам нужна частота DRAM.

    Может ли CPU-Z проверять температуру?

    CPU-Z никак не считывает температуру. Поэтому нормально не видеть никакой информации о температуре. HWmonitor создан для того, чтобы делать именно то, что вам нужно. Open Hardware Monitor может иметь проблемы с некоторыми системами (так много конфигураций, обновления, скорее всего, исправят это).

    Что такое JEDEC и XMP?

    Этот стандарт JEDEC называется Extreme Memory Profile (XMP) и обозначает набор профилей, предоставляемых производителем RAM, встроенных в модуль RAM.Когда вы устанавливаете ОЗУ, профили XMP определяют, с какой комбинацией стандартизированных скоростей/таймингов/напряжения будет работать ваша память.

    Что такое расширение SPD?

    Ваш BIOS будет использовать небольшую микросхему на модулях оперативной памяти, называемую микросхемой SPD (обнаружение серийного присутствия), для правильной установки времени и частоты памяти. XMP — это расширение SPD, которое обеспечивает более высокие частоты и более короткие тайминги для работы вашей памяти.

    Какие тайминги для CPU-Z на вкладке SPD?

    Не открыт для дальнейших ответов.Когда я запускал CPU-Z на своем нетбуке, на вкладке памяти отображались тайминги 5-5-5-15, а на вкладке SPD тайминги 5-5-5-18 (JEDEC #3). Что означают различия в таймингах между вкладками?

    В чем разница между вкладкой памяти и вкладкой SPD?

    Вкладка SPD показывает доступные тайминги для этой памяти, вкладка Memory показывает фактические тайминги, установленные и используемые биосом. В CPU-Z есть две вкладки, которые в основном относятся к DRAM: вкладка Memory и вкладка SPD.

    Какие разные вкладки в CPU-Z?

    В CPU-Z есть две вкладки, которые в основном относятся к DRAM: вкладка Memory и вкладка SPD.На вкладке «Память» указан «Тип», т. е. DDR3, «Каналы №», т. е. количество работающих каналов памяти: «1-Single, 2-Dual, 3-Tri, 4-Quad» и «Size», т. е. общий объем DRAM, скажем. 16384 на 16гб.

    Что показывает @CPU-Z?

    CPU-Z отображает подробную информацию о памяти вашего компьютера. Утилита CPU-Z отображает подробную информацию об установленных в компьютере модулях памяти с помощью функции Serial Presence Detect.

    Что такое ОЗУ с задержкой SPD? – Рампфестудсон.ком

    Что такое ОЗУ с задержкой SPD?

    Задержки SPD

    — это то, что запрограммировано в модулях памяти. Это то, что компьютер будет использовать в качестве настроек задержки по умолчанию. Протестированная задержка — это задержка, с которой кто-то тестировал модули. Чтобы протестированные данные о задержке были хоть как-то полезны, вам также необходимо знать, с какой скоростью выполнялся тест.

    Что такое SPD DRAM?

    Микросхема SPD (Serial Presence Detect) на модуле памяти — это дополнительная микросхема, содержащая 128 шестнадцатеричных байтов информации о модуле.Это идентифицирует модуль в BIOS во время POST, чтобы материнская плата знала его характеристики и тайминги, которые можно использовать. Это было введено в то же время, что и SDRAM.

    Как проверить SPD памяти?

    Нажмите на вкладку SPD, в которой вы можете проверить скорость оперативной памяти. Обязательно умножьте значение скорости на 2, чтобы получить эффективную скорость, так как оперативная память имеет двойную скорость передачи данных.

    Как узнать, является ли моя оперативная память CL?

    Артикул модуля памяти обычно напечатан на его корпусе.Вы можете найти этот номер детали, чтобы узнать больше о задержке CAS для этой оперативной памяти. В качестве альтернативы, иногда также могут быть напечатаны тайминги ОЗУ. Это может выглядеть примерно так — CL15-18-18-36.

    Лучше ли больше RAM, чем CL?

    Итак, если модуль памяти имеет скорость 3200 МГц, но также имеет CL 20, а RAM 1600 МГц имеет CL 10, они оба на самом деле одинаковы. Другими словами, более высокий тактовый цикл и более короткая задержка означают хорошую производительность. …

    Что такое SPD CPU Z?

    Вкладка «SPD» в CPU-Z отображает размер, максимальную скорость, производителя, номер модели и дату производства каждого модуля памяти в компьютере.В нижней половине окна отображаются значения времени задержки, с которыми модуль памяти совместим на всех поддерживаемых скоростях.

    Что такое профиль XMP1?

    Поддерживаемые модули

    XMP содержат два профиля памяти, помеченные как «Профиль 1» и «Профиль 2». Первый профиль содержит настройки энтузиастов; они позволяют вашей памяти работать с номинальной скоростью, указанной на коробке. Эти настройки обеспечивают лишь скромный разгон, а также являются наиболее стабильными.

    Какова максимальная пропускная способность ОЗУ?

    «3200» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), которая составляет 3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с.

    Как узнать скорость моей оперативной памяти?

    Откройте Диспетчер задач, щелкнув правой кнопкой мыши на панели задач Windows и выбрав Диспетчер задач. Перейдите на вкладку «Производительность» — она откроется с выбранным представлением «ЦП», поэтому вам нужно выбрать представление «Память» на левой панели навигации. После нажатия на «Память» вы можете просмотреть скорость оперативной памяти и другие сведения.

    Более высокая задержка лучше для оперативной памяти?

    При выборе между ОЗУ с разной тактовой частотой лучше использовать ОЗУ с более высокой тактовой частотой; но при выборе между ОЗУ с одинаковыми тактовыми частотами ОЗУ с меньшей задержкой CAS оказывается быстрее.

    Какую скорость оперативной памяти я должен получить?

    Рекомендуется: 4–6 ГБ. Отлично: 8 ГБ или больше. Если вы используете старый компьютер со старой версией операционной системы, минимальные требования к памяти могут быть намного меньше.

    На что на самом деле влияет скорость оперативной памяти?

    ОЗУ

    не обрабатывает данные, а просто передает их между компонентами, т. е. ЦП, графическим процессором, твердотельным накопителем, жестким диском, внешним хранилищем и т. д. Таким образом, по сути, скорость ОЗУ на самом деле является пропускной способностью. Чем выше тактовая частота, тем больше данных ОЗУ может передать между компонентами за более короткий промежуток времени.

    Что означает скорость SPD?

    1. Сокращение от Serial Presence Detection, SPD — это микросхема ПЗУ, установленная на модулях памяти, для сообщения о свойствах памяти, таких как размер, скорость и т. д. SDP позволяет BIOS легче обнаруживать информацию о памяти.

    Какая скорость у моего Ram?

    Если вы не знаете, как проверить скорость оперативной памяти с помощью диспетчера задач, выполните следующие действия: Откройте диспетчер задач в Windows 10. Щелкните правой кнопкой мыши панель задач и выберите «Диспетчер задач», чтобы открыть его.Перейдите на вкладку «Производительность» и выберите «Память» на левой панели. Отсюда вы можете увидеть общий объем установленной оперативной памяти. Диспетчер задач также сообщает вам скорость, используемый слот, форм-фактор и так далее.

    Руководство MemoryC по памяти


    Настроить новый процессор так же просто, как вставить его в розетку и нажать кнопку питания, но память — это совсем другое дело. Чтобы получить максимальную отдачу от этого, вам нужно будет зайти в BIOS вашей материнской платы и вручную установить оптимальные значения различных параметров.Следуя нашему подробному руководству, вы сможете правильно настроить память, настроить ее на оптимальные параметры и максимизировать преимущества производительности вашей новой покупки.

    Почему существует два способа именования DDR?


    Многим людям сложно выбрать правильный тип памяти для своего ПК из-за запутанной номенклатуры. Широко используются два разных стандарта; первое из которых относится к скорости, с которой работает модуль, а второе — к максимальной пропускной способности, которую он способен обеспечить в идеальных условиях.Во времена DIMM с одинарной скоростью передачи данных (SDR) все модули назывались просто по их скорости, поэтому PC-100 работал на частоте 100 МГц, PC-133 — на 133 МГц и так далее. Однако в раннюю эру Pentium 4 Intel начала использовать другой тип модуля памяти — RD-RAM, — который работал несколько иначе и работал на гораздо более высокой частоте. Однако этот новый тип памяти не обеспечивал значительного увеличения производительности, предполагаемого его тактовой частотой, поэтому, когда DDR был выпущен в качестве конкурирующего стандарта, его сторонники не хотели, чтобы он проиграл только потому, что на коробке было меньшее число. .По этой причине DDR была названа в честь ее пиковой пропускной способности, а не скорости. Эта тенденция сохранялась на протяжении всей эволюции продукта, поэтому с каждым новым выпуском у нас появляется еще больше номенклатуры, над которой стоит задуматься!
    ГДР
    ПК3200 400 МГц
    ПК4000 500 МГц
    DDR2
    ПК2-5400 667 МГц
    ПК2-6400 800 МГц
    ПК2-8000 1000 МГц
    ПК2-8500 1066 МГц
    ПК2-8888 1111 МГц
    ПК2-10000 1250 МГц
    DDR3
    ПК3-10666 1333 МГц
    ПК3-12800 1600 МГц
    ПК3-14400 1800 МГц
    ПК3-15000 1866 МГц
    ПК3-16000 2000 МГц
    Существует простой способ рассчитать скорость работы модуля памяти по имени его пропускной способности, исходя из того, как рассчитывается максимальная пропускная способность.
    (Рабочая скорость) x (64-битная шина) x (1/8 байта на бит) = Теоретическая пиковая пропускная способность в МБ/с

    Следовательно:

    Эффективная рабочая скорость = Пиковая теоретическая пропускная способность / 64 x 0,125

    Следовательно:

    Эффективная рабочая скорость = Пиковая теоретическая пропускная способность / 8

    Если взять в качестве примера PC2-6400;

    6400 / 8 = 800 МГц

    Вы заметите, что если вы вычислите точные рабочие скорости из приведенных выше имен пропускной способности, то некоторые из них были слегка округлены вверх или вниз, чтобы имена памяти оставались красивыми и чистыми! Ведь PC2-8500 запоминается гораздо лучше, чем PC2-8528!

    Еще больше путаницы: эффективная и фактическая рабочие скорости


    На самом деле, даже метод именования этих модулей по тактовой частоте не совсем точен, поскольку фактическая рабочая частота всех модулей DDR составляет половину заявленной скорости.Это связано с тем, что память DDR передает свои данные как по переднему, так и по заднему фронту каждого тактового цикла, что означает, что для данного МГц DDR будет передавать вдвое больше данных, чем память SDR. Для простоты использования мы просто используем его эффективную тактовую частоту, то есть PC2-6400 действительно работает на частоте 400 МГц, а не 800 МГц, но поскольку это DDR, он обеспечивает такую ​​же производительность, как SDR, работающий в два раза быстрее.

    Не только тактовая частота


    Не все модули памяти с одинаковой скоростью созданы одинаковыми. В дополнение к тактовой частоте есть ряд других характеристик, на которые необходимо обратить внимание, поскольку они также сильно влияют на производительность.Они широко известны как задержки и относятся к скорости, с которой работают различные вспомогательные цепи внутри модуля. Во всех случаях меньшая задержка приводит к повышению производительности, а более короткие тайминги часто приносят больший прирост производительности системы, чем увеличение тактовой частоты. Рейтинг задержки модуля часто описывается сокращенно, просто цитируя его задержку CAS, но убедитесь, что вы прочитали мелкий шрифт, поскольку на самом деле есть четыре важных тайминга.
    CAS (в DDR2 обычно 3, 4 или 5) = меньшее значение дает значительное увеличение производительности
    tRCD (в DDR2 обычно 3, 4 или 5) = меньшее значение дает значительное увеличение производительности 3 или 4) = меньшее значение дает очень небольшой прирост производительности
    tRAS (в DDR2 обычно 12, 15 или 18) = меньшее значение дает очень небольшой прирост производительности
    Рейтинг для каждого из этих таймингов указан в порядке, указанном выше, поэтому модуль, в спецификации которого написано «5-5-5-15», будет работать с CAS, равным 5, tRCD, равным 5, tRP, равным 5, и tRAS 15.Модули памяти DDR2 начального уровня обычно работают с такими таймингами, а модули с меньшими задержками требуют надбавки к цене. Модули PC2-6400 с таймингами 4-4-4-12 становятся все более популярными и обычно стоят всего несколько дополнительных фунтов за комплект. Модули с малой задержкой, работающие на более высоких скоростях, такие как комплекты CAS 4 PC2-8500, гораздо реже и дороже, поскольку создание памяти с высокой тактовой частотой и малой задержкой является сложной задачей для производителей. Память DDR3 имеет гораздо более низкие тайминги, чем DDR2: агрессивные комплекты имеют задержку CAS 7, а более дешевые комплекты имеют CAS 10 или даже выше.Очевидно, это более чем компенсируется гораздо более высокой скоростью работы, но DDR3, работающая на той же скорости, что и DDR2, будет медленнее, точно так же, как работа DDR2 на скорости DDR, когда она была впервые выпущена, была медленнее.

    Скорость команды


    Еще один момент времени, который не так часто обсуждается, как четыре выше, — это частота команд. Частота команд определяет, может ли выбор микросхемы быть выполнен за один такт или для этого требуется два или более тактовых импульса. Типичная память DDR2 работает с частотой команд 2T, но частота команд 1T может дать такой же прирост производительности, как и любая другая настройка.С комплектами на 2 ГБ скорость передачи команд 1T обычно вполне достижима, если вы заказываете комплект высокого класса. Наборы на 4 ГБ гораздо сложнее запустить на 1T, и вам обычно приходится уменьшать палки до 2T. Комплекты DDR3 более приспособлены для работы с частотой команд 1T, а наиболее приличные комплекты DDR3 4GB позволяют использовать самые агрессивные настройки. В любом случае, чем быстрее работают модули, тем труднее использовать командную скорость 1T.

    Двухканальный


    Почти все материнские платы используют двухканальную технологию памяти — способ эффективного повышения производительности за счет одновременной записи более чем на одну планку памяти.Чтобы воспользоваться этим преимуществом, необходимо установить память в двухканальные комплекты. Вам также необходимо убедиться, что вы устанавливаете память в правильные слоты, которые обычно имеют цветовую маркировку для простоты использования. Хотя большинство двухканальных материнских плат работают в одноканальном режиме, вы потеряете большую часть своей потенциальной производительности памяти, заполнив только один слот.

    УЗИП


    На всех модулях памяти есть небольшой чип, который называется SPD или «Serial Presence Detect». Он содержит информацию о модуле, который помогает материнской плате устанавливать правильные настройки для сохранения стабильности.Некоторые из наиболее важных настроек, хранящихся в SPD, относятся к вышеупомянутым таймингам памяти, и по умолчанию все материнские платы будут устанавливать тайминги памяти в соответствии с запросами SPD. К счастью, эти значения можно переопределить в BIOS и установить вручную. Это полезно для повышения производительности, так как часто память способна работать значительно быстрее, чем предполагает SPD. Используя менее агрессивную настройку SPD, производители памяти могут максимизировать совместимость своих модулей при начальной загрузке.

    Настройка памяти


    При установке новой памяти на вашу машину немедленно перейдите в BIOS. Настройки памяти обычно находятся либо в глобальном меню настройки/разгона плат для энтузиастов, либо в расширенных функциях чипсета в основных вариантах. Почти во всех случаях вы получите максимальную отдачу от своей оперативной памяти, настроив ее вручную, поскольку автоматические настройки намеренно установлены на очень консервативные настройки, чтобы максимизировать совместимость и гарантировать, что вы сможете войти в BIOS без каких-либо проблем.Одна из основных причин этого заключается в том, что большая часть лучшей памяти требует более высокого напряжения, чем указано в исходных спецификациях. Нередко можно увидеть комплекты CAS 4 PC2-6400, требующие напряжения на 2,1 В или больше, поэтому перед установкой более жестких настроек памяти это необходимо будет установить.

    Что такое скорость скорости

    Что такое скорость RAM SPD? SPD — это аппаратная функция памяти, которая позволяет компьютеру узнать, какая память присутствует и какие тайминги памяти использовать для доступа к памяти.…

    Кроме того, что означает SPD в ОЗУ? Когда компьютер загружается (запускается), обнаружение последовательного присутствия (SPD) представляет собой информацию, хранящуюся в электрически стираемой микросхеме программируемой постоянной памяти (EEPROM) в синхронной динамической памяти с произвольным доступом ( SDRAM), который сообщает базовой системе ввода/вывода (BIOS) размер модуля, разрядность данных, скорость и …

    Наконец, что означает SPD в компьютерах?, D. P. S. (Serial Presence Detect) Метод, используемый модулями памяти DIMM для передачи информации об их емкости и функциях компьютеру.Такие данные, как производитель, размер, скорость, напряжение и адреса строк и столбцов, хранятся в микросхеме EEPROM на модуле.

    Часто задаваемый вопрос:

    Что означает напряжение SPD?

    Устройство защиты от перенапряжения (SPD) предназначено для защиты электрических систем и оборудования от скачков напряжения путем ограничения переходных напряжений и отвода импульсных токов. … Без соответствующего УЗИП переходные процессы могут повредить электронное оборудование и привести к дорогостоящему простою.

    Что такое скорость SPD 2666 МГц?

    2666 МГц — это скорость, установленная Intel, которая должна работать всегда, что-то, что будет обрабатывать контроллер памяти, все, что выше, рассматривается как разгон, хотя скорость spd для оперативной памяти ddr4 составляет 2133 МГц, поэтому все, что выше, уже рассматривается как разгон. у самого барана.

    Что такое скорость оперативной памяти?

    Скорость ОЗУ

    измеряется в мегагерцах (МГц), миллионах циклов в секунду, поэтому ее можно сравнить с тактовой частотой вашего процессора. Для настольных компьютеров и ноутбуков Dell скорость памяти может варьироваться от стандартных 1333 МГц до 2133 МГц.

    Как проверить RAM SPD?

    Нажмите на вкладку SPD, в которой вы можете проверить скорость оперативной памяти. Обязательно умножьте значение скорости на 2, чтобы получить эффективную скорость, так как оперативная память имеет двойную скорость передачи данных.Да, это правильно. Необходимая информация будет отображаться на вкладке «Память», а не на вкладке SPD.

    Какое напряжение SPD в ОЗУ?

    Напряжение SPD

    составляет 1,5 В для ОЗУ. Это то, что рекомендует Intel.

    Что такое модуль SPD?

    Микросхема SPD (Serial Presence Detect) на модуле памяти — это дополнительная микросхема, содержащая 128 шестнадцатеричных байтов информации о модуле. Это идентифицирует модуль в BIOS во время POST, чтобы материнская плата знала его характеристики и тайминги, которые можно использовать.Это было введено в то же время, что и SDRAM.

    Означает ли SPD скорость?

    Оценка скорости (Spd) — это статистика, разработанная Биллом Джеймсом, которая оценивает игрока по его скорости и способности к базовому бегу. … На данный момент показатель скорости немного устарел, так как он не учитывает все аспекты бейсраннинга и его результаты не представлены по шкале «беги выше среднего».

    Что означает SPD в оперативной памяти?

    Когда компьютер загружается (запускается), обнаружение последовательного присутствия (SPD) — это информация, хранящаяся в электрически стираемой микросхеме программируемой постоянной памяти (EEPROM) в модуле памяти синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDRAM), которая сообщает основной ввод/вывод. система вывода (BIOS) размер модуля, ширина данных, скорость и…

    Что такое SPD на CPU-Z?

    Знакомство с CPU-Z Например, вкладка SPD действительно должна быть расширением памяти.SPD расшифровывается как Serial Presence Detect и сообщает вам скорость, пропускную способность, производителя, напряжение и другую информацию о ваших модулях памяти (RAM).

    Как узнать, есть ли на моем ноутбуке SPD?

    Нажмите на вкладку SPD, в которой вы можете проверить скорость оперативной памяти. Обязательно умножьте значение скорости на 2, чтобы получить эффективную скорость, так как оперативная память имеет двойную скорость передачи данных.

    Что означает скорость SPD?

    Когда компьютер загружается (запускается), обнаружение последовательного присутствия (SPD) — это информация, хранящаяся в электрически стираемой микросхеме программируемой постоянной памяти (EEPROM) в модуле памяти синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDRAM), которая сообщает основной ввод/вывод. система вывода (BIOS) размер модуля, ширина данных, скорость и…

    Что такое опция SPD?

    В вычислительной технике обнаружение серийного номера (SPD) — это стандартизированный способ автоматического доступа к информации о модуле памяти.… SPD — это аппаратная функция памяти, которая позволяет компьютеру узнать, какая память присутствует и какие тайминги памяти использовать для доступа к памяти.

    Как проверить SPD памяти?

    Нажмите на вкладку SPD, в которой вы можете проверить скорость оперативной памяти. Обязательно умножьте значение скорости на 2, чтобы получить эффективную скорость, так как оперативная память имеет двойную скорость передачи данных. Да, это правильно. Необходимая информация будет отображаться на вкладке «Память», а не на вкладке SPD.

    Что такое скорость ОЗУ SPD?

    Когда компьютер загружается (запускается), обнаружение последовательного присутствия (SPD) — это информация, хранящаяся в электрически стираемой микросхеме программируемой постоянной памяти (EEPROM) в модуле памяти синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDRAM), которая сообщает основной ввод/вывод. система вывода (BIOS) размер модуля, ширина данных, скорость и…

    Почему у меня скорость оперативной памяти 2666?

    Многие этого не знают, но ОЗУ 3200 МГц по умолчанию всегда будет установлено на 2666 (технически 2667).Это связано с тем, что некоторые старые процессоры не могут работать со слишком высокими скоростями, и они не захотят вызвать немедленный сбой при сборке ПК.

    Может ли ОЗУ 3200 МГц работать на процессоре 2666 МГц?

    Да, вы можете, но тогда ваша другая оперативная память с частотой 3200 МГц замедлится до 2666 МГц, чтобы синхронизироваться с более медленной оперативной памятью. Это минимально повлияет на общую производительность системы, но у вас будет больше оперативной памяти.

    Могу ли я использовать оперативную память 2666 МГц в материнской плате 2400 МГц?

    Да.2666 МГц и 2400 МГц совместимы с DDR4 и обратно. Вся установленная память будет работать на частоте 2400 МГц. Будьте внимательны при выборе памяти, совместимой с вашей материнской платой, так как не все модули 2666 МГц будут работать.

    (Посетили 4 раза, сегодня посетили 1 раз)

    Родственные

    DDR5: подробная поддержка, XMP, увеличение памяти

    Память: зависит от количества модулей

    Внутри каждого процессора Alder Lake находятся контроллеры памяти для DDR5 и DDR4.В отличие от предыдущих поколений, мы вряд ли увидим материнские платы, поддерживающие оба типа памяти. Мы понимаем, что Intel явно просила об этом — мы не видели много комбинированных плат в розничной продаже в эпоху DDR3/DDR4, поэтому ожидаем увидеть меньше на этот раз (хотя вы можете себе представить, что кто-то в конечном итоге это сделает). Есть и небольшая техническая причина — DDR5 использует встроенное управление питанием, в то время как DDR4 требует его от материнской платы, что трудно реализовать без полностью независимых следов для обоих.Если Intel говорит, что обе операции нельзя выполнять одновременно, то вполне вероятно, что это унифицированный контроллер DDR4 + DDR5, который имеет внутреннюю логику, но только один из них может использоваться одновременно.

    Intel перечисляет спецификации своей поддержки памяти как DDR4-3200 и DDR5-4800, и, как всегда, поддержка памяти указана как соответствующая реализациям JEDEC. Это означает, что Intel квалифицирует DDR4-3200 CL22, а все, что выше, технически разгоняет процессор — в наши дни на самом деле трудно найти потребительскую память с такой скоростью.Для DDR5 здесь фактически три спецификации:

    Технические характеристики DDR5 JEDEC
    АнандТек Скорость передачи данных
    МТ/с
    класс
    Пик BW
    ГБ/с ​​
    Задержка
    (нс)
    DDR5-4800 А 4800 34 34 34 38.40 14.17
    Б 40 40 40 16,67
    С 42 42 42 17,50

    Мы уточнили у Intel, что процессор поддерживает все три, а топовым является DDR5-4800A CL34. И это несмотря на то, что Intel поставляет DDR5-4800B CL40 со своими пресс-китами, но я отвлекся.

    Проблема с поддержкой памяти в том, что она обычно указывается для определенного количества модулей, установленных в системе. В данном случае Intel указывает эти цифры, используя один модуль на канал (технически 64-битный канал, но об этом позже), что означает, что это поддерживаемые скорости при поддержке двух модулей памяти. Официальная поддерживаемая скорость изменяется, если у вас больше памяти, двусторонняя память или двухранговая память.

    Мы уже видели это раньше — серверные процессоры печально известны тем, что их поддержка замедляется при установке большего количества модулей памяти.Оказывается, чем больше пропускная способность вам нужна, тем сложнее поддерживать эту скорость с памятью большей емкости. Только до продуктов Intel 11 -го поколения Core дизайн памяти поддерживал DDR4-3200 независимо от конфигурации, потому что иногда именно столько времени требуется для оптимизации контроллера памяти. Для Alder Lake также поддерживается DDR4-3200 в любой конфигурации, но DDR5 меняется в зависимости от памяти.

    Intel поделилась с нами этой таблицей.

    Если на материнской плате всего два слота памяти, то максимальная поддержка DDR5-4800 в любой конфигурации.
    Если на материнской плате всего четыре слота памяти, то максимальная поддержка составляет DDR5-4400, когда два слота заполнены любой памятью.
    Если все четыре слота памяти заполнены, одноранговая память будет поддерживать до DDR5-4000.
    Если все четыре слота памяти заполнены, двухранговая память будет поддерживать до DDR5-3600.

    Таким образом, технически Intel указывает поддержку памяти на Alder Lake как DDR5-4800, что немного неверно по сравнению с предыдущими запусками. Если бы мы смотрели на четность, два модуля на четырехслотовой плате, то на самом деле мы бы указали DDR5-4400.Как ни странно, все тесты Intel, представленные при этом запуске, выполнялись на DDR5-4400 в соответствии со спецификацией. Спасибо команде тестирования за то, что они придерживаются этих правил.

    Небольшое замечание о каналах памяти в целом. В настольном пространстве мы привыкли к одному модулю памяти, имеющему память для одного 64-битного канала памяти. Это верно для DDR4, DDR3, DDR2 и т. д., но спецификации DDR5 переходят на 32-битные каналы памяти. Таким образом, хотя каждый модуль DDR5 по-прежнему использует 64-битную полосу пропускания, технически на каждом модуле есть два 32-битных канала памяти.Это может создать некоторую путаницу, потому что это означает, что Intel 12 -го поколения , хотя и имеет 128-битный интерфейс памяти, как и предыдущие поколения, использует 4x 32-битных канала, а не 2x 64-битных. Несомненно, компании (даже Intel) до сих пор называют это двухканальным, поскольку под каналом обычно подразумевается 64-битный интерфейс.

    Здесь нет простого решения. 2DPC (два модуля на канал) на самом деле не имеет большого значения, если технически канал подразумевает 64-битность, но вы работаете в 2×32-битной системе каналов.Некоторые пользователи называют модуль DDR5 «каналом» с двумя 32-битными «подканалами», хотя это скорее искажение реальности, учитывая, что подканалы часто являются чем-то другим в конструкции памяти. Поскольку мы так долго использовали слово «модуль» для обозначения 64-битного канала, и поскольку память может быть установлена ​​более чем с одним модулем на 64-битный канал, на самом деле в английском языке неразбериха, чтобы найти не только правильное слова, но и достаточно простые, чтобы не усложнять ситуацию. Возможно, пришло время для новых слов.

    Память: XMP 3.0 и лучше SPD

    Одной из новых функций DDR5 является расширение поддержки Intel eXtreme Memory Profile. Теперь, переходя на XMP 3.0, он повышает гибкость как для пользователей, так и для поставщиков, увеличивая количество профилей на модуль, открывая возможности для настройки и улучшая возможности разгона.

    Поставщики памяти при поставке памяти встраивают в микропрограмму памяти ряд спецификаций, известных как SPD. Для стандартной памяти, работающей в соответствии со спецификациями JEDEC, модуль, вероятно, будет содержать профили SPD, относящиеся к чему-то медленному для базовой поддержки, а затем вплоть до того, по какой цене были проданы микросхемы памяти — в зависимости от материнской платы система затем выбирает профиль JEDEC SPD, который лучше всего подходит для процессора (как ни странно, я видел здесь самые разные реализации.

    XMP выходит за рамки традиционной поддержки SPD.

    XMP 2.0 на DDR4 содержит до двух дополнительных профилей SPD с разогнанными значениями. Например, модуль памяти DDR4-4000 CL16 может иметь всего три профиля — один на 2133 CL15, один на 3200 CL22 и третий профиль XMP на 4000 CL16. Затем пользователь может выбрать этот профиль в BIOS или с помощью дополнительного программного обеспечения. Если модуль имеет два профиля XMP, возможно, один для задержки, а другой для пропускной способности, то это можно сделать в XMP 2.0.

    Обновление до XMP 3.0 позволяет использовать пять профилей вместо двух. Три из этих профилей заблокированы поставщиком модулей памяти и ограничены тем, что они поставляются с завода. Последние два профиля могут использоваться поставщиком модуля памяти, но пользователи могут перезаписывать их для сохранения настроек разгона. Эти профили также могут быть названы описательными.

    Intel заявляет, что этот процесс перезаписи поддерживается строгой поддержкой контрольной суммы, поэтому пользователи не могут блокировать свое оборудование.В большинстве ситуаций это будет разумно, однако, если эта безопасность будет нарушена, может быть рекомендовано, если вы покупаете бывшую в употреблении память DDR5, стереть эти профили и не использовать их. На всякий случай он перенапрягает контроллер памяти до 3 вольт или что-то в этом роде.

    Наряду с большим количеством профилей, поскольку DDR5 переносит управление питанием модуля на сам модуль, если поставщик памяти использует решение «лучше, чем базовое», пользователи могут настраивать различные напряжения и тайминги для каждого модуля.

    Как расширение профиля, так и обновленные элементы управления напряжением теперь доступны для операционной системы таким образом, чтобы обеспечить лучшую программную реализацию. Пользователи с памятью Corsair, например, могут использовать программное обеспечение Corsair для настройки памяти на лету и контроля температуры, мощности, напряжения, а также отслеживать их колебания во время разгона, тестирования или обычного использования. Существует также еще одна новая функция, позволяющая пользователям настраивать частоту памяти на лету, чего раньше никогда не было.Мы рассмотрим это в следующем разделе.

    На уровне экосистемы мы подтвердили вместе с Intel, что XMP 3.0 — это процедура самосертификации у поставщиков памяти без дополнительных затрат на лицензирование для поставщиков.

    Память получает ускорение: Dynamic Memory Boost

    Одной из постоянных особенностей памяти на протяжении многих лет является то, что когда у вас есть настройки, сохраненные в BIOS, они «обучаются» (проверяются на работу) при загрузке системы, и тогда это то, что у вас есть на все время, что система включена.Он никогда не замедляется, никогда не переключается на снижение мощности — он очень стабилен в течение долгого времени.

    С платами Intel Z690 и 12 процессорами -го поколения Alder Lake ситуация меняется. Подобно тому, как процессоры и графика имели состояния простоя и турбо-состояния на протяжении поколений, память теперь также получает это.

    Эта технология первого поколения является базовой, но только для начала. Система 12 -го поколения , если она работает с памятью DDR4 или DDR5 с XMP, может определить два встроенных профиля SPD — один в качестве базового и один в качестве турбо.Обычно базовый профиль — это один из неизменяемых профилей JEDEC, а турбо — профиль XMP. Но при активации система может переключаться между ними на лету, активируясь при запуске рабочей нагрузки для повышения производительности и, предположительно, повышения эффективности бездействия.

    Есть несколько мыслей или вопросов по этому поводу, которые стоит отметить:

    #1: Работает на DDR4? Intel говорит да. Это звучит так, как будто это скорее инновация программного/прошивочного обеспечения, чем аппаратная инновация, или, по крайней мере, для этого требуется правильное аппаратное обеспечение на ЦП.Несомненно, если это сработает, то станет повсеместным.

    #2: Разве энергоэффективность не подходит для тестов и ноутбуков ? Я согласен с этим и ожидаю, что эта функция станет более заметной, когда Alder Lake появится на ноутбуках и ноутбуках. При этом большая часть DRAM для ноутбуков в любом случае является JEDEC, поэтому она может открыть двери для более разогнанной памяти для ноутбуков, если она сможет сохранить время автономной работы базового профиля JEDEC. Либо так, либо память ноутбука будет использовать быстрый профиль JEDEC в работе, а затем переключится на более эффективный, но более медленный профиль JEDEC в режиме ожидания для экономии энергии.

    #3: Не приводит ли это к нестабильности? Возможно, но если это обрабатывается так же, как и CPU Turbo, то это не должно быть проблемой.

    Точно так же, как мы пытаемся измерить, как частота ЦП увеличивается от запроса к производительности, нам придется изучить инструменты для измерения того же самого в памяти, особенно если для будущего использования будет разработано нечто большее, чем простая базовая/турбо-система.

     

    Одноранговая и двухранговая ОЗУ

    : различия и влияние на производительность

    Множество небольших, но четких спецификаций оперативной памяти могут значительно повысить производительность.

    Одним из таких аспектов являются ранги памяти. Мы рассмотрим, как это повлияет на вашу работу, и ответим на несколько распространенных вопросов, таких как:

    • Как узнать, является ли ваша текущая оперативная память одноранговой или двухранговой?
    • Насколько это влияет на вашу производительность?
    • Стоит ли менять память на одноранговую или двухранговую?

    Однако прежде чем мы начнем, важно понять, что такое ранги памяти.

    Что такое ранги памяти?

    Каждый модуль памяти имеет набор микросхем DRAM, доступ к которым осуществляется при записи или чтении информации.

    Это то, что независимый орган по стандартизации JEDEC назвал «рангом». Эти микросхемы памяти, или ранги, могут быть размещены либо на одной стороне модуля памяти, либо на обеих сторонах.

    Конфигурация с одним рангом относится к блоку данных (набору микросхем памяти) шириной 64 бита (72 для памяти ECC, которая содержит 8 дополнительных битов для проверки ошибок). Другими словами, это единый набор микросхем памяти или один банк памяти.

    Двухранговые модули будут иметь два таких блока данных и, следовательно, будут иметь разрядность 128 бит.

    Примечание. Как показано на приведенной выше диаграмме, некоторые модули памяти МОГУТ иметь микросхемы с обеих сторон, но при этом быть одноранговыми.

    Также существуют четырехранговые и даже восьмиранговые модули с четырьмя или восемью 64-битными блоками данных соответственно. Обычно они зарезервированы для модулей памяти более высокого уровня с большим объемом памяти на карту памяти.

    Различия ядер между рангами памяти

    Количество рангов может намекать на объем памяти на карте памяти. Однако это во многом зависит от технологии чипов, размещенных на карте памяти, и поколения DDR.

    Многие современные модули памяти DDR4 емкостью 16 ГБ являются двухранговыми, поскольку большинство микросхем ИС могут вмещать 1 ГБ памяти.

    Однако чипы Crucial RevB с большей емкостью позволяют хранить до 16 ГБ в одном ряду (используется в их модулях памяти Ballistix Max).

    Поскольку у вас может быть одноранговый модуль емкостью 8 ГБ или даже 16 ГБ, возможны как двухранговые, так и четырехранговые карты памяти емкостью 32 ГБ.

    Одноранговый модуль памяти DDR4 емкостью 32 ГБ в настоящее время не существует. Но по мере развития технологий мы можем увидеть и их.

    Одноранговые и двухранговые — преимущества и недостатки

    Итак, каковы преимущества и недостатки этих конфигураций рангов памяти?

    Начнем с двухранговой памяти.

    Хотя модуль ОЗУ может иметь два или более ранга на карту памяти, контроллер памяти может получить доступ только к одному за раз.

    Значит, второй ранг излишен?

    Преимущество двух рангов

    Не совсем так.

    ЦП может обращаться к одному банку памяти, в то время как другой может подвергаться циклу обновления (подготовке к доступу).

    Этот процесс, называемый ранговым чередованием, аналогичен чередованию банков SDRAM.

    Маскирование и конвейеризация циклов обновления обычно приводит к повышению производительности приложений, интенсивно использующих ЦП, поскольку сокращает время отклика памяти.

    Преимущество одного ранга

    На некоторые приложения может повлиять задержка, вызванная тем, что контроллер памяти работает с несколькими рангами вместо одного.

    Кроме того, поскольку в одноранговых (SR) модулях DIMM вдвое меньше микросхем, они выделяют меньше тепла и могут быть более стабильными, чем двухранговые (DR) модули.Это также делает их популярным выбором для энтузиастов разгона.

    Тесты

    Тесты, сравнивающие одноранговую и двухранговую память на одинаковых скоростях, показывают небольшое преимущество последней (как и ожидалось) — от 3% до 5%.

    Лаборатория Игоря также получила аналогичные результаты, правда, их тесты в основном касались игровой производительности.

    Стив из Hardware Unboxed провел обширный тест (опять же, в играх), чтобы сравнить и эти конфигурации памяти.Он обнаружил, что при той же частоте и задержке двухранговые конфигурации превосходят одноранговые аналоги.

    Тем не менее, улучшение задержки и/или частоты CAS помогло значительно повысить производительность. Они по-прежнему должны оставаться вашими основными факторами покупки.

    Разница между рангом памяти и каналом памяти

    Ранги связаны с количеством микросхем памяти, обнаруженных на карте памяти. Это отличается от количества каналов памяти, которые может поддерживать процессор и платформа материнской платы.

    Каждый канал памяти обеспечивает одновременный доступ к модулю памяти, что значительно увеличивает доступную пропускную способность памяти.

    Каждый канал между ОЗУ и ЦП имеет ширину 64 бита, что позволяет использовать двухканальную конфигурацию с шириной 128 бит.

    Таким образом, наличие двухканальной конфигурации с двумя рангами означает, что вы можете наслаждаться лучшим из обоих миров: увеличенной пропускной способностью двухканальной конфигурации, а также чередованием рангов.

    Два распространенных способа создания двухканальной двухранговой установки:

    1. Используйте четыре слота DIMM с четырьмя одноранговыми модулями ОЗУ.
    2. Используйте два слота DIMM с двумя двухранговыми модулями.

    Тем не менее, иметь больше каналов всегда лучше, чем иметь два или четыре ранга.

    Всегда, , сначала выбирайте двухканальную настройку, затем более высокую частоту памяти и меньшую задержку, и только потом следует учитывать количество рангов.

    Четырехканальные настройки также являются опцией, но, поскольку они ориентированы на серверы и платформы HEDT, вы в основном будете заполнять все доступные слоты или использовать память высокой плотности.Это делает рассмотрение рангов немного бессмысленным для этих пользователей.

    Какой тип памяти выбрать?

    Итак, теперь, когда мы знаем разницу между одноранговым и двухранговым, какой тип предпочесть?

    И, если на вашем ПК уже установлена ​​оперативная память, оптимальна ли ваша конфигурация?

    Давайте узнаем.

    Как проверить, является ли ваш баран одноранговым или двухранговым?

    Есть несколько способов узнать. Однако некоторые из самых простых способов требуют, чтобы у вас был физический доступ либо к модулям памяти, либо к системе, в которой они установлены.

    CPU-Z (самый простой способ)

    Сначала вам нужно загрузить и запустить CPU-Z. Как только вы это сделаете, вы увидите окно, подобное приведенному выше.

    Перейдите на вкладку «SPD» и найдите метку «Ranks». Здесь вы увидите свой рейтинг памяти.

    Как вы можете видеть на изображении выше, этот конкретный модуль памяти представляет собой планку G.Skill Single Rank емкостью 8 ГБ.

    Счетчик микросхем

    Подсчет микросхем не всегда надежен, так как каждая микросхема может иметь разную емкость в зависимости от производителя.

    Также из-за использования теплоотводов сколы не всегда видны.

    Обратите внимание, что некоторые производители иногда распределяют один ранг на обе стороны, поэтому наличие модулей с чипами на обеих сторонах не обязательно означает, что это двухранговый модуль DIMM.

    Наклейка на задней стороне модуля

    Некоторые производители памяти также указывают ранги памяти на этикетке.

    Источник — OEMPCWorld

    Но, опять же, в зависимости от производителя эти обозначения могут отсутствовать на вашей наклейке (например,грамм. Vengeance RGB Pro от Corsair).

    Кроме того, поставщики могут не указывать, является ли ОЗУ SR или DR в листе спецификаций своих продуктов.

    Базы данных, созданные пользователями

    Существуют ограниченные, но все же полезные таблицы спецификаций оперативной памяти, составленные пользователями, которым нужна эта информация. Вот один в этом посте Reddit и поисковик B-Die, в котором перечислены популярные модели оперативной памяти и указано, какие из них одноранговые, а какие двухранговые.

    Стороннее программное обеспечение

    Если у вас уже установлена ​​оперативная память, вы также можете использовать определенное диагностическое программное обеспечение, такое как Thaiphoon Burner, для считывания характеристик вашей оперативной памяти.

    Можно ли смешивать оперативную память SR и DR?

    Вообще говоря, вы не хотите смешивать разные наборы памяти, так как модули каждого набора проходят заводские испытания для работы друг с другом на своих номинальных скоростях и задержках. Нарушение баланса может вызвать проблемы, которых лучше избегать.

    Тем не менее, хотя это и не оптимально, одноранговые и двухранговые модули будут работать вместе.

    Микширование может привести к отключению рангового чередования, поскольку оно не работает для модулей SR.

    Для получения дополнительной информации о неотъемлемых рисках, связанных с смешиванием модулей оперативной памяти, обязательно ознакомьтесь с нашей статьей об этом.

    Сколько разрядов должно быть в вашей памяти?

    Ответ на этот вопрос мы намекали, говоря об одноканальной и двухканальной конфигурациях.

    Если вы планируете использовать четыре слота DIMM, вы можете выбрать четыре одноранговых модуля памяти.

    Но если вы используете только два слота (из-за ограниченного количества слотов ОЗУ), лучше иметь два двухранговых модуля, чтобы вы могли иметь двухканальную двухранговую настройку и использовать увеличенную пропускную способность вместе с чередование рядов.

    Вообще говоря, двухранговая память обеспечивает повышение производительности ваших рабочих нагрузок.

    Но, если вы энтузиаст разгона, вы можете найти больше полезности в памяти с одним рангом из-за ее лучшей стабильности и более низких рабочих температур.

    Короче говоря, для современных рабочих станций выберите двухканальный комплект памяти DDR4-3600 CL16 емкостью 32 ГБ, обеспечивающий наилучшее соотношение цены и качества.

    Заключение

    Различия в производительности, измеренные в тестах между одноранговой и двухранговой памятью, могут показаться незначительными, но они складываются.

    Стекирование большего количества каналов, более высокая скорость памяти и задержка, а также достаточный объем оперативной памяти значительно повысят общую производительность и скорость работы системы.

    Вам слово

    Какую конфигурацию памяти вы используете? Вы предпочитаете одноранговые модули оперативной памяти двухранговым? Дайте нам знать в комментариях ниже!

    Кроме того, если у вас есть какие-либо вопросы по теме или по вашей конкретной настройке, вы можете задать их нам здесь или посетить наш экспертный форум.

    Leave a comment